Die COOLiR2DIE-Bausteine werden nicht nur für gemeinsam mit Dioden in einem Gehäuse untergebrachte IGBTs angeboten, sondern auch für leistungsfähige Stand-alone-MOSFETs mit hohen Strombelastbarkeiten. Dieses Portfolio deckt jeden Spannungs- und Leistungsbereich von Mild-, Voll-, Plug-in-Hybrid- und reinen Elektrofahrzeugsystemen ab. Beim COOLiRDIE handelt es sich um einen Standardbaustein, der völlig unabhängig vom kundenspezifischen Endmodul ist, so dass sich die Komponente in hohen Stückzahlen herstellen lässt. Anwender erhalten somit einen kosteneffizienten Subsystembaustein, mit dem sich fortschrittliche und doppelseitig gekühlte, bonddrahtlose Leistungsmodule entwickeln lassen.
Zusätzlich wird ein standardisiertes Halbbrückenmodul angeboten, das zwei integrierte COOLiR2DIEs in Halbbrückenkonfiguration umfasst. Anwender, die beispielsweise einen vollständigen Wechselrichter entwickeln, können dieses Halbbrückenleistungsmodul als standardmäßigen Subsystembaustein COOLiR2BRIDGE kaufen. Werden drei Bausteine auf einer kühlenden Basisplatte aufgebracht, erhält man einen bonddrahtlosen, doppelseitig gekühlten Wechselrichter mit hoher Leistungsdichte und einer niedrigen Induktivität. Der Wechselrichter trägt die Bezeichnung COOLiR2Drive. Vorteile dieser Technologie: Die beidseitige Die-Attach-Bestückungsmethode der Halbleiterbausteine auf hinsichtlich des Ausdehnungskoeffizienten abgestimmte DBC-Substrate; außerdem fallen sämtliche Drahtbonds weg. Die vergossenen Module weisen von beiden Seiten zugänglichen Kühlbereiche auf, wodurch eine doppelseitige Kühlung mit passiv oder sogar mit aktiv gekühlten Kühlkörpern möglich ist.
Leistungsbereiche von einigen wenigen Kilowatt bis zu über 100 kW lassen sich durch Skalierung des
COOLiRDIE innerhalb des Moduls oder auch durch Parallelschaltung von zwei oder mehr COOLiR2BRIDGE-Modulen abdecken.