Produkt

Leistungsmodule

© Toshiba

Power-Bausteine für Induktionsgeräte

Toshiba bringt 1350V-IGBT für hohe Temperaturen und wenig Verlust

Toshiba hat einen diskreten 1350V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für resonanzbasierte Haushaltsgeräte wie Induktionsherde, Reiskocher und Mikrowellen vorgestellt. Der neue Power-Baustein verspricht bis zu 21 % mehr Effizienz bei hohen…

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© InnoTrans | Messe Berlin

InnoTrans

Bahntechnik-Messe auf Frühjahr 2021 verschoben

Das Corona-Virus hat ein weiteres Veranstaltungsopfer: Die im zweijährigen Rhythmus…

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Überstrom sicher begegnen

Intelligente Leistungshalbleiter für funktionale Sicherheit

Sicherheit im Auto bedeutet nicht nur, ob der Fahrer angeschnallt ist. Auch die…

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© Fujitsu Laboratories

Fujitsu Laboratories / Elektromobilität

Wärmeleitende Klebefolie aus Kohlenstoff-Nanoröhren

Kohlenstoff-Nanoröhren haben eine etwa zehnmal höhere Wärmeleitfähigkeit als Kupfer, aber…

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© Mesago

PCIM Europe 2020 Cancelled / Corona

Knowledge Transfer to Take Place Digitally

Due to the Covid-19 pandemic and the associated ban on all major German events up to, and…

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© Mesago

Coronavirus-Pandemie

PCIM Europe 2020 wird zur Digitalmesse

Erst verschoben, jetzt abgesagt: Die Fachmesse und Konferenz PCIM Europe findet erst im…

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© Microchip

Siliziumkarbid auf dem Vormarsch

Microchip nimmt SiC-Leistungsmodule ins Programm

Microchip nimmt neue SiC-Leistungsmodule ins Portfolio und setzt auf die weiter wachsende…

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© Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric

Bidirektionaler 100-kW-Wandler in unter einem Liter

Einen 100 kW starken DC-DC-Wandler mit einer Leistungsdichte von 136 kW pro Liter hat…

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© Cissoid

Gate-Treiber

SiC-Module richtig ansteuern

Auch in Power-Modulen, wie sie bislang für Silizium-IGBTs eingesetzt wurden, finden sich…

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© Infineon

Market Overview for SiC and GaN

"2020 will be the year of GaN!", says Yole

The world of power electronics is considered to be very conservative. But meanwhile SiC…

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