Power-Bausteine für Induktionsgeräte
Toshiba bringt 1350V-IGBT für hohe Temperaturen und wenig Verlust
Toshiba hat einen diskreten 1350V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für resonanzbasierte Haushaltsgeräte wie Induktionsherde, Reiskocher und Mikrowellen vorgestellt. Der neue Power-Baustein verspricht bis zu 21 % mehr Effizienz bei hohen…