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Leistungsmodule

Leistungshalbleiter

SiC gräbt weiter im Silizium-Becken

Mit einem neuen 62 mm-Siliziumkarbid-Modul will Infineon Anwendungen im mittleren Leistungsbereich ab 250 kW für SiC erschließen, wo Silizium-IGBTs an die Grenzen der Leistungsdichte stoßen.

SiC-MOSFET-Halbleiter

40 % weniger Einschaltwiderstand für Elektrofahrzeuge

SiC-MOSFETS in Elektroautos verprechen hohe Wirkungsgrade, weniger Verluste und am Ende...

HGÜ-Projekt in Deutschland

Rekordverdächtig: Prysmian mit Erdkabelsystem für Südlink

Die Prysmian Group hat sich bei den deutschen Übertragungsnetzbetreibern TransnetBW und...

Power-Designs mit stabiler Regelung

Nano-Cap-Technologie verkürzt Stückliste

Der Halbleiterhersteller Rohm kündigt eine neue Nano-Cap-Stromversorgungstechnologie...

Digitale PCIM Awards 2020

Sieger untersucht Hochvolt-SiC-Packaging bei 200°

Die Gewinner des Best Paper Award und des Young Engineer Award stehen fest. Die...

Chips für die Elektromobilität

Infineon beliefert Danfoss Silicon Power

Einen mehrjährigen Volumenvertrag haben Danfoss und Infineon Technologies geschlossen,...

Chip-Kapazität für Elektrofahrzeuge

Danfoss schließt mehrjährigen Volumenvertrag mit Infineon

Für den steigenden Marktbedarf an Leistungshalbleitern für Elektroautos hat Danfoss...

Neue 650-V-GaN-Technik für Automotive

Kleinere und bessere Galliumnitrid-FETs, ohne zusätzliche Treiber

Nexperia stellt eine neue Generation 650-V-GaN-Technik vor, mit hohem Gütefaktor, mehr...

Interview mit Leo Lorenz, ECPE

»Neue Fehler tauchen immer wieder auf«

Robustheit und Zuverlässigkeit sind stets wiederkehrende Themen bei den...

Power-Bausteine für Induktionsgeräte

Toshiba bringt 1350V-IGBT für hohe Temperaturen und wenig Verlust

Toshiba hat einen diskreten 1350V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für...