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Leistungsmodule

Kommentar zu USB-C

Mit GaN geht's besser Apple!

Weihnachten gehörte ich zu den Glücklichen, die trotz langer Lieferzeiten ein nagelneues MacBook mit Apples eigenentwickeltem M1-Chip unter dem Baum fanden. Die größte Überraschung dabei: das sehr große und sehr schwere Netzteil.

STMicroelectronics

Asymmetrischer MasterGaN verfügbar

Mit MasterGaN2 hat STMicroelectronics einen ersten 650-V-Baustein vorgestellt, der zwei...

Yole Développement / Power-Module

Elektromobilität verändert die Spielregeln beim Packaging

In ihrem Bericht »Status of the Power Module Packaging Industry Report 2020« kommen die...

Martin Schneider-Ramelow, Fraunhofer IZM

Drahtbonding hat noch lange nicht ausgedient

Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese...

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste...

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid...

48 V für Rechenzentren

GaN pusht High-Density-Server

Für High Performance Computing (HPC), KI, Cloud Computing oder Big Data benötigen...

Infineon / Gate-Treiber

SOI-Technologie ermöglicht Levelshift von 1200 V

Mit dem Gate-Treiber 6ED2230 hat Infineon seine EiceDRIVER-Familie um ein Bauteil...

Stromversorgung und Leistungselektronik

Die Power-Highlights der electronica 2020

Welche Produkte sollten Power-Entwickler mit ins Jahr 2021 nehmen? Wir haben uns auf...

Power-Highlights auf der electronica

Automotive-GaN-FET mit 99% Wirkungsgrad

Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche...