Produkt

Leistungsmodule

Active Clamp für höhere Leistungsdichte

Mehr Netzteil-Power mit GaN-Sperrwandlern

Leistungstransistoren auf Galliumnitrid-Basis (GaN) sind längst Standardbauteile. Leistungselektronik-Designs wie Netzteile können mit den hohen Wirkungsgraden mehr Power auf kleinerem Raum liefern. Doch wie wirkt sich der Einsatz von…

Microchip Wechselrichter-Design-Lösung

SiC-Leistungselektronikmodul und Programmable-Gate-Treiber

Für die beschleunigte Entwicklung und Fertigung stellt Microchip den digitalen…

Galliumnitrid

Die Zukunft netzgeführter Umrichter hat begonnen

Schon seit Jahren sprechen Designer davon, dass mit Galliumnitrid (GaN) eine beispiellose…

EDT2-IGBT-Technik

Leistungsmodul für Traktionsumrichter in Elektrofahrzeugen

Infineon bringt ein IGBT-Leistungsmodul für Antriebsumrichter in Elektrofahrzeugen der…

Sperrwandler-Schalter-IC

Ein Notschalter für die E-Mobility

Auf Anwendungen im Bereich der Elektromobilität ist der AEC-Q100-qualifizierte InnoSwitch3…

Heraeus

Kupfer-Bondbändchen für SiC-Module

Die neuen Kupfer-Bondbändchen von Heraeus ermöglichen es, Leistungsmodule zuverlässiger,…

Leistungselektronik-to-go

Modulare, PCB-integrierte GaN-auf-Si-Halbbrückenschaltung

Das Fraunhofer IAF hat monolithisch integrierte GaN-Power-ICs mittels…

Fahrzeugleistungsmodule und -umrichter

Rohm und Leadrive gründen Forschungslabor für SiC-Technologie

Rohm Semiconductor und Leadrive Technology, chinesischer Hersteller von Antriebssträngen…

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die…

Leistungshalbleiter

SiC gräbt weiter im Silizium-Becken

Mit einem neuen 62 mm-Siliziumkarbid-Modul will Infineon Anwendungen im mittleren…