Produkt

Leistungsmodule

GaN-Mikrowechselrichter von Enphase

Höhere Schaltfrequenz, höherer Wirkungsgrad

Der kalifornische Mikrowechselrichter-Hersteller Enphase Energy fokussiert sich verstärkt 480-V-Netzkonfigurationen und dazu den im Herbst 2025 vorgestellten IQ9N-3P mit GaN- anstelle von Silizium-Leistungshalbleitern ausgestattet. Ergebnis, eine Steigerung des Wirkungsgrades auf 97,5 Prozent.

GaN-Leistungshalbleiter

onsemi und GlobalFoundries arbeiten zusammen

onsemi und GlobalFoundries haben eine Zusammenarbeit vereinbart, um neue...

Bereich Industrieelektronik

Brancheninsider zu den Auswirkungen der Nexperia-Krise

Anders als im Automotive-Bereich herrscht in der Industrieelektronik nach dem Abriss...

Höhere Effizienz und Lebensdauer

SiC-Leistungsmodule im EasyPack C-Gehäuse

Schnelles Laden von Elektrofahrzeugen mit Gleichstrom und andere industrielle...

Gehäuse mit höherer Effizienz

Neue N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

Sechs neue Produkte mit den N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Chips der Serie DTMOSVI 600 V in...

GaN in Motorsteuerungs-Anwendungen

Hervorragende Alternative zu MOSFETs und IGBTs

Im Vergleich zu klassischen Silizium-Lösungen bestechen GaN-Bauteile außer mit...

Energieumwandlung in Haushaltsgeräten

Das Beste aus zwei Welten: Hybrid SiC SLIMDIP-Module

Themen wie Nachhaltigkeit und wirtschaftliche Effizienz drängen auf die Reduzierung des...

Cissoid

IGBT-Leistungsmodul für den Automobilbereich

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Cissoid

Automotive-qualified IGBT Power Module

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Infineon Technologies

Transinduktivitäts-Spannungsregler-Module

Infineon Technologies hat sein »OptiMOS TDM22545T«-Modul vorgestellt – das erste...