Produkt

Leistungsmodule

Leistungshalbleiter | Stromversorgung

Maßgeschneidert für resonante Topologien in Schaltnetzteilen

Aktueller Technologietrend bei industriellen Schaltnetzteilen ist eine höhere Effizienz, Leistungsdichte sowie erhöhte Busspannung. Leistungshalbleiter mit 650 V Durchbruchspannung eignen sich für resonante Topologien in der Telekommunikation, in Servern sowie Solar- und Off-Board-Ladestationen.

Active Clamp für höhere Leistungsdichte

Mehr Netzteil-Power mit GaN-Sperrwandlern

Leistungstransistoren auf Galliumnitrid-Basis (GaN) sind längst Standardbauteile....

Microchip Wechselrichter-Design-Lösung

SiC-Leistungselektronikmodul und Programmable-Gate-Treiber

Für die beschleunigte Entwicklung und Fertigung stellt Microchip den digitalen...

Galliumnitrid

Die Zukunft netzgeführter Umrichter hat begonnen

Schon seit Jahren sprechen Designer davon, dass mit Galliumnitrid (GaN) eine...

EDT2-IGBT-Technik

Leistungsmodul für Traktionsumrichter in Elektrofahrzeugen

Infineon bringt ein IGBT-Leistungsmodul für Antriebsumrichter in Elektrofahrzeugen der...

Sperrwandler-Schalter-IC

Ein Notschalter für die E-Mobility

Auf Anwendungen im Bereich der Elektromobilität ist der AEC-Q100-qualifizierte...

Heraeus

Kupfer-Bondbändchen für SiC-Module

Die neuen Kupfer-Bondbändchen von Heraeus ermöglichen es, Leistungsmodule...

Leistungselektronik-to-go

Modulare, PCB-integrierte GaN-auf-Si-Halbbrückenschaltung

Das Fraunhofer IAF hat monolithisch integrierte GaN-Power-ICs mittels...

Fahrzeugleistungsmodule und -umrichter

Rohm und Leadrive gründen Forschungslabor für SiC-Technologie

Rohm Semiconductor und Leadrive Technology, chinesischer Hersteller von...

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die...