Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid (SiC) im gemoldeten Gehäuse vor. Die CIPOS Maxi IPM IM828-Serie eignet sich mit hoher Wärmeleitung und hohen Schaltgeschwindigkeiten als kleine Umrichterlösung für…
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Mit dem Gate-Treiber 6ED2230 hat Infineon seine EiceDRIVER-Familie um ein Bauteil…
Welche Produkte sollten Power-Entwickler mit ins Jahr 2021 nehmen? Wir haben uns auf der…
Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche und…
SiC boomt, doch das Rohmaterial dafür ist knapp. Infineon hat mit GT Advanced einen…
Eine strategische Partnerschaft für die Entwicklung intelligenter Power-Module für…
Platz für die Stromversorgung ist knapp, mit weniger Ressourcen muss immer mehr Leistung…
Das weltweit erste Modul mit Si-Treiber und GaN-Leistungstransistoren soll Ladegeräte und…
Renesas stellt eine neue Generation softwarekonfigurierbarer, digitaler…