Produkt

Leistungsmodule

© Wolfspeed

Siliziumkarbid / Power-Module

Cree stellt SiC-Modul-Plattform WolfPACK vor

Mit WolfPACK möchte Cree die Portfoliolücke zwischen diskreten SiC-MOSFETs und High-Performance-Modulen schließen. Zielanwendungen der 1200-V-Module ohne Baseplate sind das Schnellladen von Elektrofahrzeugen, regenerative Energien und die…

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© Ute Häußler

Kommentar zu USB-C

Mit GaN geht's besser Apple!

Weihnachten gehörte ich zu den Glücklichen, die trotz langer Lieferzeiten ein nagelneues…

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© STMicroelectronics

STMicroelectronics

Asymmetrischer MasterGaN verfügbar

Mit MasterGaN2 hat STMicroelectronics einen ersten 650-V-Baustein vorgestellt, der zwei…

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© Infineon

Yole Développement / Power-Module

Elektromobilität verändert die Spielregeln beim Packaging

In ihrem Bericht »Status of the Power Module Packaging Industry Report 2020« kommen die…

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© Fraunhofer IZM

Martin Schneider-Ramelow, Fraunhofer IZM

Drahtbonding hat noch lange nicht ausgedient

Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese…

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© Infineon Technologies

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste…

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© Infineon

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid…

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48 V für Rechenzentren

GaN pusht High-Density-Server

Für High Performance Computing (HPC), KI, Cloud Computing oder Big Data benötigen…

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© Infineon Technologies

Infineon / Gate-Treiber

SOI-Technologie ermöglicht Levelshift von 1200 V

Mit dem Gate-Treiber 6ED2230 hat Infineon seine EiceDRIVER-Familie um ein Bauteil…

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© electronica / Messe München

Stromversorgung und Leistungselektronik

Die Power-Highlights der electronica 2020

Welche Produkte sollten Power-Entwickler mit ins Jahr 2021 nehmen? Wir haben uns auf der…

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