Produkt

Leistungsmodule

STMicroelectronics

Asymmetrischer MasterGaN verfügbar

Mit MasterGaN2 hat STMicroelectronics einen ersten 650-V-Baustein vorgestellt, der zwei asymmetrische GaN-Transistoren (150 mΩ bzw. 225 mΩ) enthält. Damit steht nun eine integrierte Lösung für weich schaltende Wandlertopologien mit aktiver…

Yole Développement / Power-Module

Elektromobilität verändert die Spielregeln beim Packaging

In ihrem Bericht »Status of the Power Module Packaging Industry Report 2020« kommen die…

Martin Schneider-Ramelow, Fraunhofer IZM

Drahtbonding hat noch lange nicht ausgedient

Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese…

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste…

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid…

48 V für Rechenzentren

GaN pusht High-Density-Server

Für High Performance Computing (HPC), KI, Cloud Computing oder Big Data benötigen…

Infineon / Gate-Treiber

SOI-Technologie ermöglicht Levelshift von 1200 V

Mit dem Gate-Treiber 6ED2230 hat Infineon seine EiceDRIVER-Familie um ein Bauteil…

Stromversorgung und Leistungselektronik

Die Power-Highlights der electronica 2020

Welche Produkte sollten Power-Entwickler mit ins Jahr 2021 nehmen? Wir haben uns auf der…

Power-Highlights auf der electronica

Automotive-GaN-FET mit 99% Wirkungsgrad

Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche und…

Halbleiter-Lieferkette

Infineon sichert sich SiC-Quelle bei GT Advanced

SiC boomt, doch das Rohmaterial dafür ist knapp. Infineon hat mit GT Advanced einen…