Produkt

Leistungsmodule

Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs im Stresstest

Im Gate-Oxid von SiC-MOSFETs gibt es viele Defekte – lange Zeit ein ernstes Problem bei deren Zuverlässigkeit und für die Kommerzialisierung. Doch in den vergangenen Jahren kamen bessere Fertigungsmethoden und neue Testverfahren – mit Einfluss auch…

Kommentar

Anhängsel oder Mitgestalter

Alternativloses Ziel: Mit IPECI II will Europa seinen Marktanteil am weltweiten…

Milliardeninvestitionen bei Leistungs-HL

Siegeszug der 300-mm-Wafertechnologie

Mit dem Einzug der 300-mm-Fabs in die Leistungshalbleiterfertigung steht die Branche vor…

Marktumfrage bei Leistungshalbleitern

Hoffnungen ruhen auf dem Jahresende 2021

Von 20 bis 35 Wochen reichen derzeit die Lieferzeiten für die wichtigsten…

Semikron und Silicon Mobility

Zusammenarbeit bei 24-V- bis 96-V-Wechselrichter-Plattform

Semikron und Silicon Mobility haben die Verfügbarkeit einer 24-V- bis…

Erklär-Video: Leistungsmesstechnik

Wie genau ist eigentlich "Grundgenau"?

Haben Sie sich schon mal gefragt, wie die Spezifikationen in einem Datenblatt zustande…

Interview mit Dr. Peter Friedrichs

20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon

Vor 20 Jahren hat Infineon die ersten Bauteile aus Siliziumkarbid auf den Markt gebracht.…

10. VDE/ZVEI Symposium Mikroelektronik

Klimaschutz und Standort Europa im Fokus

Unter das Motto »Innovation schützt Klima« stellte der VDE das 10. Symposium…

Nexperia und UAES

Enge Partnerschaft bei Galliumnitrid vereinbart

Nexperia hat mit United Automotive Electronic Systems (UAES) eine Kooperation für…

Siemens Mobility/Infineon

Siliziumkarbid macht Bahnfahren »grüner«

Um die Mobilität der Zukunft auch nachhaltiger zu gestalten, haben Siemens Mobility und…