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STMicroelectronics

Dritte Generation an SiC-MOSFETs qualifiziert

STMicroelectronics hat die dritte Generation seiner SiC-Technologieplattform vollständig qualifiziert und geht davon aus, erste daraus abgeleitete Produkte noch 2021 zur Marktreife bringen zu können. Ein erster 650-V-MOSFET kostet gerade einmal 5 Dollar.

Yole Développement

Elektromobilität befeuert das Packaging von Power-Modulen

Das Design von Power-Modulen und insbesondere der Packaging-Ansatz sind das Herzstück...

Leistungshalbleiter

SiC-Bedarf explodiert

Vor dem Hintergrund der sich weltweit vollziehenden Energie- und Mobilitätswende,...

Kommentar

Da ist was in Bewegung!

Mit Investitionen von einigen Milliarden Dollar, versucht die...

Fokus auf SiC-Leistungshalbleiter

Rohm und Geely erweitern strategische Partnerschaft

Auch wenn der Halbleiterhersteller Rohm und der chinesische Automobilhersteller Geely...

Yole Développement

Markt für IGBTs wächst auch weiterhin stark

Selbst wenn Siliziumkarbid den IGBTs Konkurrenz macht, auch der IGBT-Markt dürfte sich...

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hochkarätige Keynote-Sprecher

Am 26. und 27. Oktober 2021 findet das 5. Anwenderforum Leistungshalbleiter noch einmal...

IGBT-Halbbrücken-Design

Die Leistungselektronik für E-Fahrzeuge vereinfachen

Leistungswandler in Elektrofahrzeugen basieren auf einer Halbbrückenkonfiguration. Was...

Drahtloses Laden

Am Konsumelektronik-Markt ist Qi gesetzt

Die Analysten von MarketsandMarkets erwarten, dass der Gesamtmarkt für kabelloses Laden...

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von...