Produkt

Leistungsmodule

Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie

Mit dem M1H hat Infineon einen Siliziumkarbid-MOSFET-Chip für 1200 V vorgestellt, der ein größeres Betriebsfenster für die Gate-Spannung aufweist. Dadurch sinkt der On-Widerstand bei gegebener Chipgröße, und es macht ihn robuster gegenüber Spannungsspitzen am Gate.

Substrate für Leistungsmodule

Rogers investiert noch einmal in Eschenbach

Erst im August 2021 hatte der Geschäftsbereich Advanced Electronics Solutions von...

Fusion / Leistungsmodule

Semikron und Danfoss Silicon Power schließen sich zusammen

Semikron und Danfoss Silicon Power haben bekanntgegeben, als Semikron-Danfoss zu einem...

Simulationswerkzeug von Infineon

Lebensdauer von Power-Modulen automatisiert vorhersagen

Für industrielle Kunden gewinnt die Abschätzung der Lebensdauer von Leistungsmodulen in...

Marktstudie Leistungshalbleiter

Amazon-Gutscheine zu gewinnen!

Hiermit laden wir Sie ein, sich bis zum 31. März 2022 an unserer großen Marktstudie...

Semikron als Automobilzulieferer

Milliardenauftrag von deutschem Automobilbauer

Ein großer deutscher Automobilhersteller will die für Siliziumkarbid-Technologie...

Infineon

CoolSiC-Leistungsmodul reduziert Energiebedarf von Straßenbahnen

Effizienter Schienenverkehr ist ein Schlüssel für grüne Mobilität. Siemens Mobility und...

Vicor

Weltweites Automotive Segment unter neuer Leitung

Chinmaya Joshi ist neuer Global Automotive Segment Director bei Vicor. Er kommt von...

Produkte des Jahres 2022

Power

Für die Leserwahl »Produkte des Jahres 2022« sind zwölf Produkte aus der Kategorie...

Fast 7 Prozent jährliches Wachstum

Leistungshalbleiterindustrie erhöht ihre Fertigungskapazitäten

Geht es nach den Analysten von Yole Développement wird der Markt für...