Produkt

Bauteil mit Lichtfeldern betrieben

»Dynamischer Schottky-Effekt« entdeckt

Unter idealen Bedingungen betrieben, kann eine Diode bis zu zwei Billionen Mal pro Sekunde umgeladen werden – schneller ist es bislang in konventionellen Hochfrequenz-Schaltkreisen nicht möglich. Bis jetzt.

Panel Discussion at PCIM Europe 2022

Solutions for the MOSFET Shortage

Currently, there is not only a shortage of microcontrollers, but also of power…

Interview: Dr. John Palmour, Wolfspeed

»Thema Die Shrink noch lange nicht ausgereizt«

Als Mitbegründer von Wolfspeed, ehemals Cree, hat sich Dr. John Palmour von Anfang an für…

ITF Belgien 2022

Strukturgrößen von unter 1 nm, die Roadmap steht!

Das diesjährige ITF fand erstmals wieder als Präsenzveranstaltung statt. Luc Van den hove,…

Hohe Leistungsdichte für EV-Anwendungen

Diodes-MOSFETs im PowerDI8080-Gehäuse

Mit dem PowerDI8080-5 bringt Diodes ein neues, für hohe Ströme taugliches,…

Schaltungs- und Prozessebene

Die Kombination der Bereiche schafft Innovationsmöglichkeiten

Die Halbleiterindustrie treibt Innovationen auf der Prozessebene voran, gleichzeitig zeigt…

Neu: Semikron-Danfoss ab 2023

»Wir investieren massiv in eMPack-Module«

Semikron-Danfoss wird sich ab Januar 2023 als fusioniertes Unternehmen am Markt…

Gate-Treiber für SiC und GaN

Allegro MicroSystems übernimmt Heyday

Für 19 Mio. US-Dollar in bar übernimmt Allegro MicroSystems das Unternehmen Heyday…

Wayon

Kompakter CSP-MOSFET

Der neue CSP 20V/17mOhm-Dual-N-KanalTrench-MOSFET im CSP-Gehäuse von Wayon nimmt eine…

Enpower setzt auf Bauteile von Infineon

Diskrete 750-V-IGBTs für Automotive-Anwendungen

Der chinesische Anbieter von Wechselrichtern für die Automobilindustrie Zhuhai Enpower…