IEDM 2025
Grund zum Feiern: 100 Jahre FETs
Vom 6. Bis 10. Dezember findet die IEDM zum 71ten Mal in San Francisco statt. Das Motto lautet in diesem Jahr: »100 Years of FETs: Shaping the Future of Device Innovations«.
Die Veranstaltung umfasst 295 Vorträge, plus vier Focus-Sessions, Tutorials, Short Courses und ein Panel. Die Keynotes kommen in diesem Jahr von Qualcomm (Titel: »Electron Device Challenges & Opportunities to Center AI Around the Individual Using Edge-Devices«), IBM (Titel: »Inside Enterprise Mission-Critical Computing«) und GlobalFoundries (Titel: »AI at the Edge«). In den vier Focus-Sessions werden folgende Themen aufgegriffen:
- Effiziente KI-Lösungen: Fortschritte in Architektur, Schaltung, Bauelementen & 3D-Integration
- Die unsichtbare Revolution der Dünnschichttransistoren
- Jenseits von Von-Neumann: Von physikalisch inspirierten Lösern bis zur Quantenhardware
- Siliziumphotonik für energieeffizientes KI-Computing
Zu den High-Lights der Konferenz zählen folgende Vorträge:
- Erster 101-stufiger 3D-monolithischer CFET-Ringoszillator und die weltweit kleinste 6T-SRAM-Bit-Zelle (TSMC)
- Monolithischer CFET-Prozess mit gestapelten Si-pMOS- und Si-nMOS-Transistoren, getrennt durch einen dielektrischen Isolator (imec)
- Weltweit kleinster Dual-Fotodioden-Pixel mit 0,7 µm Pitch und zweilagigem Pixel-Design (Samsung)
- Stapelbare InGaZnO-basierte Transistoren für hochdichte, energiesparende 3D-DRAMs (Kioxia)
- Ultradünne GaN-Chiplet-Technologie für GaN-on-Si-MOSHEMTs auf 300-mm-Substraten (Intel)
- Stapelbare 3D-FeFETs für In-Memory-Computing mit einer Lebensdauer von 10hoch10 Zyklen (Peking-University und University of Hongkong)
- CMOS-kompatible neuromorphe Schaltung mit integrierter optisch-zu-Spike-Umwandlung im Sensor (KAIST)
»Die diesjährige IEDM bietet einen Ausblick auf das nächste Computing-Paradigma. Wir erleben derzeit die Verschmelzung von Fertigung im atomaren Maßstab, 3D-Integration und neuromorphem Design, wodurch wir über die Technologie von gestern und sogar über das klassische Computing hinausgehen. Von monolithischen CFETs, die die Transistordichte neu definieren, bis hin zu In-Memory-Computing, das den von-Neumann-Flaschenhals überwindet - hier, auf der IEDM, werden die Grundlagen für die nächste Generation intelligenter und energieeffizienter Elektronik vorgestellt«, erklärt Gaudenzio Meneghesso, Publicity Chair der IEDM 2025 und Leiter des Fachbereichs Informationstechnik an der Universität Padua (Italien).
Weitere Informationen finden Sie hier.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Imec
Neues 300-mm-GaN-Programm für Low- und High-Voltage-Anwendungen
In der Fab von onsemi
Weebit testet erfolgreich ICs mit integrierten ReRAM
Applied Materials
Equipment für die nächsten Halbleitergenerationen
