IEDM 2014
SiC für Industrieanwendungen
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
2. Generation von SiC-MOSFETs
Mittlerweile steht von Cree die zweite Generation von SiC-MOSFETs zur Verfügung. Sie umfasst folgende Komponenten
## 1200V MOSFETs (Bare Die)
- CPM2-1200-0025 (25mΩ; 60A)
- CPM2-1200-0040 (40mΩ; 40A)
- CPM2-1200-0080 (80mΩ; 20A)
- CPM2-1200-0160 (160mΩ; 10A)
## 1200V MOSFETs (TO-247)
- C2M0025120D (25mΩ; 60A)
- C2M0040120D (40mΩ; 40A) – Juni 2014
- C2M0080120D (80mΩ; 20A)
- C2M0160120D (160mΩ; 10A)
- C2M0280120D (280mΩ; 7A) – Juni 2014
## 1700V MOSFETs
- C2M1000170D (1Ω, 3.0A) TO-247
- CPM2-1700-0040 (40mΩ; 50A) Bare Die
Die zweite Generation zeichnet sich im Vergleich zur ersten durch eine geringere Chip-Fläche, durch geringere Schaltverluste, eine verringerte Gate-Ladung, eine verbesserte Steilheit und verringerte Ein- und Ausgangskapazitäten aus. Palmour: »Darüber hinaus erreicht die 2. Generation ein sehr hohes Maß an Zuverlässigkeit. Der MTTF-Wert (Mean Time To Failure) bei 800 V liegt bei 30 Mio. Stunden, also über 3000 Jahren.« Auch die Lebensdauer des Gate-Oxids stellt kein Problem dar, hier spricht Palmour von einem MTTF-Wert von 10 Mio. Stunden. Und auch beim HTGB-Test (über 1.000 Stunden bei 20 V und 150/175 °C) schneiden die Komponenten gut ab.
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