FAMES-Pilotlinie
Fortschritte bei FD-SOI, RF und 3D-Integration
Die FAMES-Pilotlinie wurde am 30. Januar 2026 offiziell in Grenoble eingeweiht und liefert bereits validierte Ergebnisse aus FD-SOI, RF, 3D-Integration und Speichertechnologien. Als offene 300-mm-Plattform unterstützt sie Industrie und Forschung bei der Überführung neuer Halbleitertechnologien.
Die FAMES-Pilotlinie wurde am 30. Januar 2026 im französischen Grenoble offiziell eingeweiht – zwei Jahre nach ihrem Start und zu einem Zeitpunkt, an dem sie bereits erste validierte technische Ergebnisse vorweisen kann. Diese Ergebnisse umfassen fortschrittliche FD-SOI-Technologien, Hochfrequenz-Anwendungen, eingebettete nichtflüchtige Speicher, 3D-Integration sowie Power-Management-ICs. Diese Ergebnisse, die auf einer 300-mm-Fertigungslinie erzielt und auf führenden internationalen Konferenzen präsentiert wurden, belegen, dass FAMES bereits heute funktioniert.
Die Einweihungsfeier, an der mehr als 350 Gäste teilnahmen, markiert zugleich die Inbetriebnahme einer neuen Reinraumerweiterung am Standort Grenoble von CEA-Leti. Die FAMES-Pilotlinie richtet sich in erster Linie – aber nicht ausschließlich – an europäische Start-ups, kleine und mittlere Unternehmen, Industriekonzerne sowie Forschungseinrichtungen. Sie bietet ihnen die Möglichkeit, fortschrittliche Halbleitertechnologien zu prototypisieren, zu qualifizieren und technologische Risiken zu minimieren, bevor diese in die industrielle Fertigung überführt werden. Die Initiative wird von CEA koordiniert.
Nach Angaben von Jean-René Lèquepeys, stellvertretendem Direktor und CTO von CEA-Leti, zielen die im Rahmen von FAMES entwickelten Technologien darauf ab, die FD-SOI-Prozesstechnologie auf 10 und 7 nm zu skalieren, was deutliche Leistungssteigerungen gegenüber heutigen Generationen ermöglicht, etwa in Bezug auf Integrationsdichte, Energieverbrauch, Geschwindigkeit und Hochfrequenzeigenschaften.
Zu den jüngsten Errungenschaften zählt die Präsentation voll funktionsfähiger 2,5-Volt-SOI-CMOS-Bauelemente auf der letzten IEDM 2025, die mit einem thermischen Budget von lediglich 400 °C gefertigt wurden. Trotz der niedrigen Temperatur erreichen diese Komponenten die Leistungsfähigkeit, die mit konventionellen Hochtemperatur-CMOS-Prozessen vergleichbar ist. Damit wurde eine zentrale Hürde für die großskalige sequentielle 3D-Integration überwunden und der Weg für dichte, mehrlagige Chiparchitekturen geebnet, die mit modernen Back-End-Prozessen kompatibel sind – ein zentrales Ziel von FAMES.
Der neue Reinraum umfasst 2.000 m² Fläche und erweitert die gesamte Reinraumfläche von CEA-Leti auf insgesamt 14.000 m². Er wird mit mehr als 80 300-mm-Fertigungsanlagen ausgestattet. Die neue Anlage wurde gezielt auf eine optimierte Umweltbilanz ausgelegt. Hochleistungsdämmung und die Vorbereitung auf Systeme zur Rückgewinnung von Abwärme tragen dazu bei, den ökologischen Fußabdruck des Gebäudes deutlich zu reduzieren.
Das Projekt baut auf dem französischen Programm »France 2030 – NextGen« auf, das 2022 gestartet wurde, und 2023 noch zusätzliche Impulse durch den EU Chips Act erzielt. Beide Initiativen verfolgen das Ziel, den Übergang von der Forschung zur industriellen Reife zu beschleunigen, indem sie eine offene, hochmoderne Umgebung für technologische Innovation schaffen.
Mit einem Gesamtinvestitionsvolumen von 830 Millionen Euro, kofinanziert durch die Europäische Kommission im Rahmen des Chips Act sowie durch beteiligte Mitgliedstaaten, vereint FAMES elf Partner aus acht Ländern. Ziel ist es, die Zeitspanne zwischen Forschung und Industrialisierung deutlich zu verkürzen und gleichzeitig Europas technologische Autonomie in zentralen Halbleiterbereichen zu stärken. Diese sind von strategischer Bedeutung für Branchen wie Automobilindustrie, Telekommunikation, Edge-KI, industrielle Systeme, Medizintechnik, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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