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Everspin Technologies

MRAMs beschleunigen Massenspeicher deutlich

12. März 2017, 8:30 Uhr | Heinz Arnold

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Weniger Platz und Energie: MRAMs in den Mainstream!

Weil die Beschleuniger auf Basis der nichtflüchtigen ST-MRAMs arbeiten, entfallen umständliche zusätzliche Beschaltungen und Stromversorgungen (etwa Supercapacitors oder Batterien) wie sie in den Beschleunigern auf DRAM-Basis erforderlich sind. Das bedeutet für die Anwender: weniger Platz ist erforderlich, der Aufwand sinkt – und das bei höherer Performance. Außerdem überstehen die ST-MRAMs eine hohe Zahl von Schreib-Lösch-Zyklen unbeschadet. Die komplizierten Algorithmen, um die beschränkte Anzahl von Schreib-Lösch-Zyklen einer jeden NAND-Speicherzelle über das gesamte Array gleichmäßig zu verteilen, entfällt damit bei den ST-MRAM-basierten Beschleunigern.

Everspin geht davon aus, dass die neuen nvNITO-Beschleuniger in Systemen Einsatz finden, in denen es auf höchste Geschwindigkeit ankommt. Ein Beispiel sind Systeme für den High-Frequency-Handel von Wertpapieren. Doch überall, wo heute Massenspeicher zum Einsatz kommen, besteht laut Everspin Bedarf, die Prozesse zu beschleunigen. Deshalb sind die Mitglieder der nvNITRO-Familie so ausgelegt, dass sich bestehende Systeme sehr einfach mit ihnen aufrüsten lassen. Spezielle Treiber oder Änderungen im Betriebssystem sind nicht erforderlich.

Die 256-MBit-MRAMs fertigt GlobalFoundries auf Basis ihres 40-nm-Prozesses. Die nächste Generation, die 1-GBit-Typen wird GlobalFoundries zunächst im 28-nm-Prozess und 2017/18 auf den 22-nm-FD-SOI-Prozess übergehen. Nicht zuletzt aufgrund der Partnerschaft mit GlobalFolundries ist LoPresti überzeugt, den MRAMs den Weg in den Massenmarkt öffnen zu können. Die 1-GBit-Typen hat Everspin bereits im vergangenen Jahr vorgestellt, LoPresti rechnet mit einem möglichen Umsatz von 1,7 Mrd. Dollar schon für 2018.