Torque-Spin-Technik

Everspin will DRAM mit MRAM ersetzen

8. März 2012, 17:45 Uhr | Heinz Arnold

Der MRAM-Pionier Everspin hat im vergangenen Jahr bereits 3 Millionen seiner magnetischen RAMs ausgeliefert. Mit der neuen Spin-Torque-Technik will Everspin in diesem Jahr auch erstmals den DRAMs Konkurrenz machen.

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Phil LoPresti, Everspin, und Heinz Arnold, Markt&Technik
Phill LoPresti »Ab diesem Jahr bringen wir die Spin-Torque-MRAMs auf dem Markt, die DRAMs ersetzen und uns Zugang zu einem 2-Mrd.-Dollar-Markt geben.«
© elektroniknet.de

Allein im vergangenen Jahr hat Everspin 3 Mio. MRAMs (Magnetic RAMs) ausgeliefert, in diesem Jahr will das Unternehmen auf 5 Mio. Stück kommen. Darin sind nicht die SoCs eingerechnet, die, mit embedded MRAMs von Everspin ausgestattet, in diesem Jahr in den Markt für Konsumelektronik wandern werden. »Wir liefern hier bereits 1 Mio. Stück pro Monat aus«, sagte Phill LoPresti, CEO von Everspin, auf der embedded World 2012 gegenüber Markt & Technik.

Damit sieht er den Durchbruch für die MRAMs gekommen. »Wir haben im vergangenen Jahr über 260 Design-Wins realisiert, und wir haben die ersten Typen nach AEC-Q100 für den Einsatz in Autos qualifiziert.« Besonders in den Markt für Enterprise Storage Systeme liefert Everspin bereits Millionen Einheiten, in intelligente Stromzähler und in den industriellen Sektor wandern ebenfalls hohe Stückzahlen und im Automotive-Markt werde der Bedarf in zwei bis drei Jahren deutlich anziehen.

In diesem Jahr fährt Everspin außerdem die Produktion der MRAMs auf Basis der Spin-Torque-Technik hoch und das werde den Markt laut LoPresti verändern: »Während wir mit den bisherigen Typen vor allem die nichtflüchtigen SRAMs mit einem TAM (Total addressable market) von 300 Mio. Dollar ersetzen wollen, sind die Spin-Torque-Typen für den Ersatz der DRAMs gedacht, was uns Zugang zu einem 2-Mrd.-Dollar-Markt gibt.«

Neuen Schub erwartet er sich außerdem dadurch, dass Samsung in die MRAM-Technik investieren wird, genauso wie Toshiba und Hynix in einer Partnerschaft. Auch dass Dell und LSI in Raid-Storage-Systemen auf MRAMs setzen, stimmt ihn optimistisch für die Zukunft. »Sie wollen damit Flaschenhälse beseitigen und können das tun, weil die MRAMs die Latency deutlich reduzieren. Das gab den Ausschlag für die Entscheidung für MRAMs.«

Wie sieht er die MRAMs gegenüber den FRAMs positioniert, immerhin hatte TI mit Wolverine-Familie gerade sehr energiesparende Controller mit Embedded FRAM vorgestellt? »MRAMs bieten auf jeden Fall die höheren Speicherkapazitäten, sowohl die Stand-Alone-Typen als auch die embedded MRAMs.«

Heute erreichen die mit SRAM-Interface ausgestatteten MRAMs von Everspin Kapazitäten bis 16 MBit. Typen mit höheren Speicherdichten und Interfaces mit höheren Datenraten werden schnell folgen. »Wir sind zwei Mal schneller als Moore´s Law«, erklärt er selbstbewusst.

Und auch dem drohenden Wettbewerb durch größere Mitspieler sieht er gelassene entgegen: »Wir liefern heute und entwickeln weiter - und haben damit einen technischen Vorsprung von einigen Jahren.«


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