Chip-Fertiger über ARM

»ARM hat die beste Architektur für Low-Power-Anwendungen«

1. November 2012, 20:46 Uhr | Frank Riemenschneider
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Hochkarätig besetzte Podiumsdiskussion zur zukünftigen Chipfertigung

Dr. Shang-Yi Chiang, Executive VP bei TSMC, Dr. Kyu-hyoun Kim, als Executive VP bei Samsung für das Foundry-Geschäft zuständig, und Greg Bartlett, CTO bei Gloabalfoundries.
Dr. Shang-Yi Chiang, Executive VP bei TSMC, Dr. Kyu-hyoun Kim, als Executive VP bei Samsung für das Foundry-Geschäft zuständig, und Greg Bartlett, CTO bei Gloabalfoundries.
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Auf einer anschließenden Podiumsdiskussion zum Thema “Chipfertigung der Zukunft” trafen - bis auf Intel - Top-Manager der führenden Chip-Fertiger zusammen: Dr. Shang-Yi Chiang, Executive VP bei TSMC, Dr. Kyu-hyoun Kim Executive VP, bei Samsung für Foundry-Geschäft zuständig, und Greg Bartlett, CTO bei Gloabalfoundries.

Einigkeit herrschte darüber, dass eine frühzeitige Einbindung von Kunden, IP-Lieferanten und EDA-Herstellern mit schrumpfenden Prozessgenerationen immer wichtiger wird. TSMC arbeitet z.B. 2 Jahre vor Einführung einer Technologie mit ARM zusammen, um verifizierte IP zu haben. TSMC hat dazu sein eigenes mit Open-Innovation-Platform (OIP) bezeichnetes Ecosystem aufgesetzt, in dem auch ARM Mitglied ist, wie auch TSMC Mitglied in ARMs Connected-Community ist.

Dass man heute überhaupt Chips in 28-nm-Prozessen und auch zukünftig in 20-nm-Chips fertigen kann, hat man laut Globalfoundries der High-K/Metal-Gate-Technologie zu verdanken, andernfalls wäre durch die explodierenden Leckströme „schon heute Schluß“.  Aber auch High-K-Materialien helfen nicht ewig weiter, deswegen ist die Einführung von FinFET-Transistoren zwingend notwendig.

Samsung erklärte, dass man bereits mit den Ergebnissen der 20-nm-HKMG-Generation nicht mehr zufrieden sein könne (diese würden nicht den erwarteten Fortschritt gegenüber 28-nm-Chips zeigen), während man bei den FinFETs Versorgungsspannungen im Bereich von 0,5 bis 0,6 V sehe. Globalfoundries  sieht einen klaren Pfad bis hinunter zu 5-nm-Chips, dann sei aber auch hier Schluß. In einer „Beyond CMOS“ genannten Initiative arbeitet man an Lösungen für die Post-CMOS-Ära.

Samsung sieht die größten Herausforderungen dabei, Wafer wirtschaftlich herzustellen - derzeit hänge man von Double- und Triple-Patterning ab. Die Grenze für weitere Schrumpfungen der Prozessgeometrien werde durch die Limitierungen beim Patterning dargestellt.

Einigkeit herrschte, dass die allergrößte Herausforderung für Chip-Fertiger derzeit in der Vorhersage der benötigen Kapazität sei. Bei TSMC verdoppelte sich der Bedarf bei 28-nm-Chips gegenüber der Vorhersage der Kunden, in den ersten 6 Monaten sei sogar die Nachfrage im Vergleich zur Prognose eines Kunden um Faktor 3 übertroffen worden (Anmerkung: Es dürfte sich dabei um Snapdragon-Chips von Qualcomm gehandelt haben).

Einigkeit herrschte bei den Teilnehmern abschließend, dass „ARM die beste Architektur für Low-Power-Applikationen“ hat.


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