Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-MOSFETs

Verbesserte zweite Generation

Seit Anfang 2011 sind MOSFETs aus Siliziumkarbid kommerziell erhältlich. Anfang dieses Jahres ist nun die zweite Generation erschienen. Wo liegen die Unterschiede zu konventionellen Siliziumbausteinen und die Verbesserungen zur Vorgängergeneration?

Galliumnitrid-Leistungsschalter

Brückenlose PFC-Schaltung

Seit kurzem sind nun Galliumnitrid-Leistungsschalter auf Silizium für 600 V Sperrspannung…

Galliumnitrid-Leistungsschalter

GaN schnell implementieren

Auf der diesjährigen PCIM Europe waren GaN-Leistungsschalter ein heißes Thema, nachdem…

Leistungsmodule

Effizienter pumpen

Die Effizienz gilt als das wichtigste Kriterium zum Bewerten von Hydraulikpumpen, denn…

Leistungshalbleitermarkt schrumpft 2012

Infineon bleibt Spitze

Wie das Marktforschungsinstitut IHS bestätigt, hat Infineon Technologies auch im Vorjahr…

8- und 16 bit stagnieren

MCU-Markt migriert zu 32 bit und ARM

Die Analysten von IC Insights haben die Entwicklungen des Mikrocontroller-Marktes…

Anvil Semiconductors

Siliziumkarbid zum Preis von Silizium

Anvil Semiconductors, ein Spin-out der School of Engineering der Universität Warwick hat…

Interview

Fairchild: Mixed-Signal-ICs mit Schwerpunkt auf Leistung

Fairchild wird den Schwerpunkt auch künftig auf die Leistungstransistoren setzen,…

IGBT-Module für Motorumrichter

Auf die Verpackung kommt‘s an

Bei Hybrid- und Elektrofahrzeugen müssen kostengünstige Umrichtermodule sehr…

Power-Modul-Hersteller

Vincotech beruft Eckart Seitter in die Geschäftsführung

Mit Wirkung 1. November 2013 wird Eckart Seitter in die Geschäftsführung von Vincotech…