Leistungshalbleiter

Rechtsstreit beigelegt

Internationale Rectifier und EPC erzielen Einigung

Seit 2009 gab es einen Rechtstreit zwischen Internationale Rectifier und Efficient Power Conversion. Im Mittelpunkt stand die angebliche Veruntreuung von Geschäftsgeheimnissen durch den Ex-CEO Alex Lidow. Dieser Streit ist durch ein Lizenzabkommen…

Toshiba

Serienfertigung von SiC-Bauteilen gestartet

Toshiba Electronis hat mit der Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern in seinem Werk…

International Rectifier

IR startet Verkauf von GaN-auf-Silizium-Bausteinen

International Rectifier hat die ersten Produkte qualifiziert und ausgeliefert, die auf der…

Mesago

PCIM Asia

Die Mesago PCIM GmbH kooperiert mit der Messe Frankfurt China. Mit dieser Partnerschaft…

Infineon Technologies

650 V CoolMOS C7

Die CoolMOS C7-Familie von Infineon Technologies zeichnet sich laut Unternehmensangabe…

Forschungserfolg

Epitaxiale SiC-Schicht auf 300-mm-Silizium-Wafern

Eines der Probleme von GaN auf Silizium ist die Fehlanpassung von Thermokoeffizient und…

Deutlich mehr Anbieter

SiC- und GaN-Leistungsschalter auf der Überholspur

Während sich Siliziumkarbid (SiC) vor allem für Applikationen mit Sperrspannungen über…

International Rectifier

Heimkinosystem nutzt als erstes GaN-auf-Silizium-Bausteine

International Rectifier hat nun erstmals im großen Umfang Produkte ausgeliefert, die auf…

International Rectifier

40-V-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

International Rectifier hat AEC-Q101-qualifizierte 40-V-N-Kanal-MOSFETs mit niedrigem…

Infineon Technologies

Neues TO-Leadless-Gehäuse für bis zu 300 A

Ein neues TO-Leadless-Gehäuse, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant…