Leistungshalbleiter

Infineon Technologies

Neues IGBT-Modul im Bereich 4,5 kV

Mit einem 4,5-kV-Typ hat Infineon ihre IGBT-Modulfamilie »IHV« komplettiert. Das 6,5-kV-Gehäuse bietet einen verbesserten Schutz durch größere Luft- und Kriechstrecken. Mit den weiter optimierten thermischen Eigenschaften eignet sich das neue Modul…

GaN-Leistungshalbleiter

Cree lizenziert GaN-Bauteilpatente an Transphorm

Cree hat einen nicht-exklusiven, weltweiten Lizenzvertrag mit Transphorm unterzeichnet,…

GaN Systems

Larry Spaziani zum Vice President Product Management ernannt

Seit 22. Juli 2013 leitet Larry Spaziani das Produktteam und ist verantwortlich dafür, die…

International Rectifier

»GaN wird zukünftig zu einer unserer wichtigsten Triebfedern«

In fünf Jahren hat Oleg Khaykin, CEO und President von International Rectifier, das…

Rechtsstreit beigelegt

Internationale Rectifier und EPC erzielen Einigung

Seit 2009 gab es einen Rechtstreit zwischen Internationale Rectifier und Efficient Power…

Toshiba

Serienfertigung von SiC-Bauteilen gestartet

Toshiba Electronis hat mit der Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern in seinem Werk…

International Rectifier

IR startet Verkauf von GaN-auf-Silizium-Bausteinen

International Rectifier hat die ersten Produkte qualifiziert und ausgeliefert, die auf der…

Mesago

PCIM Asia

Die Mesago PCIM GmbH kooperiert mit der Messe Frankfurt China. Mit dieser Partnerschaft…

Infineon Technologies

650 V CoolMOS C7

Die CoolMOS C7-Familie von Infineon Technologies zeichnet sich laut Unternehmensangabe…

Forschungserfolg

Epitaxiale SiC-Schicht auf 300-mm-Silizium-Wafern

Eines der Probleme von GaN auf Silizium ist die Fehlanpassung von Thermokoeffizient und…