Leistungshalbleiter

Power-MOSFETs

Ausgangskapazität korrekt bestimmen

Die Ausgangskapazität eines MOSFETs beeinflusst die Performance von hochfrequenten, resonanten Schaltwandlern entscheidend. Da die Beziehung von Spannung zu Ausgangskapazität nichtlinear ist, kann deren Berechnung umständlich und zeitraubend sein.…

Simulation mit SPICE

Tanh-Modell für die Simulation von MOS-Transistoren

Es ist oft schwierig, für MOS-Transistoren SPICE-Parameter zu erhalten, die auch für…

Elektromobilität

Herausforderung Schnellladung

Im Rahmen des Artemis-Förderprojektes „Internet of Energy for Electric Mobility“ entsteht…

Universität von Tokio

SiC-MOSFETs mit niedrigerer Defektdichte

Ein besonderes Problem bei SiC-MOSFETs sind die vielen Defekte in der Gateoxid-Schicht.…

Akquisition für 3 Mrd. Dollar

Infineon kauft International Rectifier

Infineon und International Rectifier haben heute einen Vertrag über den Kauf von…

Effizient und kostengünstig Normen erfüllen

ST: Leistungshalbleiter für Stromversorgungen

Niedrigere Flussspannungen, geringere Leckströme, minimierte Abschaltverluste und…

Video Infineon Dresden

Politik feiert erste 300mm Halbleiterfabrik - Ein Weckruf?

Die erste Hochvolumenfertigung für Leistungshalbleiter auf 300mm-Basis nimmt Fahrt auf.…

Online-Tool ezIGBT

Bis zu drei IGBTs direkt vergleichen

ezIGBT.com hat ihren Online-Rechner um eine Reihe von Vergleichen-Werkzeuge erweitert.…

Interview International Rectifier

Angriff auf den Super-Junction-MOSFET-Markt

Sieben Jahre nachdem Oleg Khaykin als CEO und President die Verantwortung bei…

Exar/Europcomp

2- und 3-A- Einspannungs-LDO-Regler

Bei einer einfachen Eingangsspannung zwischen 1,045 V bis 2,625 V beträgt die…