Leistungshalbleiter

Leistungshalbleiter-Bausteine

Verringern die Verluste in Frequenzumrichtern

Vishay erweitert sein breites Produktangebot u.a. mit einer neuen Serie von Field-Stop und Punch-Through Trench IGBTs, die ausschließlich als Die (ungehäuste Bauteile) verfügbar sind bzw. Anwendung in der eigenen Modulfertigung finden.

Showa Denko

6 Zoll großer SiC-Epitaxie-Wafer für Leistungshalbleiter

Showa Denko hat angekündigt, noch im Oktober dieses Jahres damit zu beginnen, sechs Zoll…

GaN-Leistungshalbleiter

Erste Produktmuster mit 150 V Durchlassspannung

Fujitsu liefert seit Juli 2013 erste Produktmuster des Galliumnitrid-Leistungshalbleiters…

Neue IGBT- und Dioden-Generation

Höhere Leistungsdichte bei Umrichtern

In der Leistungselektronik steigt die Leistungsdichte stetig. Ziel ist es, die Kosten zu…

STMicroelectronics

Tandem-Dioden als Alternative zu Siliziumkarbid-Bausteinen

Ihre zweite Generation an Tandem-Dioden hat STMicroelectronics vorgestellt. Die…

Semikron

Peter Sontheimer in die Geschäftsführung berufen

Die Semikron-Gruppe vollzieht einen weiteren Schritt in der Neuausrichtung der…

Infineon Technologies

Neues IGBT-Modul im Bereich 4,5 kV

Mit einem 4,5-kV-Typ hat Infineon ihre IGBT-Modulfamilie »IHV« komplettiert. Das…

GaN-Leistungshalbleiter

Cree lizenziert GaN-Bauteilpatente an Transphorm

Cree hat einen nicht-exklusiven, weltweiten Lizenzvertrag mit Transphorm unterzeichnet,…

GaN Systems

Larry Spaziani zum Vice President Product Management ernannt

Seit 22. Juli 2013 leitet Larry Spaziani das Produktteam und ist verantwortlich dafür, die…

International Rectifier

»GaN wird zukünftig zu einer unserer wichtigsten Triebfedern«

In fünf Jahren hat Oleg Khaykin, CEO und President von International Rectifier, das…