Leistungshalbleiter

Neue Gehäusetechnologie

Trenchstop Advanced Isolation für diskrete IGBTs

Die neue Gehäusetechnologie Trenchstop Advanced Isolation hat Infineon für seine Trenchstop- und Trenchstop-Highspeed-3-IGBTs entwickelt.

Für effiziente ZVS-LLC-Resonanzwandler

MDmesh-MOSFETs mit Fast-Recovery-Diode

Die neu vorgestellten MDmesh-DK5-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind…

Für effiziente Spannungswandler

Monolithisch integrierte 600-V-GaN-Halbbrücke

Halbbrückenschaltungen sind Schlüsselbausteine vieler Spannungswandler-Typen. Eine neu…

Wide-Band-Gap-Halbleiter

Nischendasein von SiC und GaN bald beendet

Wenn eine wichtige Branchen-Messe ansteht, wird immer bereits im Vorfeld diskutiert, ob…

2D-Kurzschlussdetektion schützt IGBTs

Kurzschluss schneller erkennen

Moderne IGBTs brauchen aufgrund ihrer dünnen Chipdicke eine Schutzschaltung, die…

Leistungselektronik-Report

Der Power-MOSFET-Markt – Aktuelles und Trends

Yole Développement hat einen neuen Leistungselektronik-Bericht vorgelegt, in dem das…

Kleinste Strukturen in Massenproduktion

Samsung ist neuer Fertigungsmeister

Es dauerte 42 Jahre, bis Konkurrent Samsung hinsichtlich der Logikdichte Intel an der…

Für batteriebetriebene Anwendungen

StrongIRFET im neuen Gehäuse

Infineon ergänzt die StrongIRFET-Familie um einen 40-V-Baustein im neuen Gehäuse D2PAK…

Hoher Drain-Dauerstrom

30-V-n-Kanal-TrenchFET für Mobilgeräte

Vishay hat einen 30-V-n-Kanal-TrenchFET der vierten Generation präsentiert, der die…

Superjunction-MOSFETs

Neuer Anbieter im 650-V-Markt

Ein neuer Teilnehmer auf dem Leistungshalbleiter-Markt ist D3 Semiconductor. Das Ende 2011…