Leistungshalbleiter

Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial

Licht aus dem Schatten des Siliziums

Das Potenzial von Galliumnitrid für Anwendungen in der Leistungs- und Hochfrequenzelektronik ist groß. Ein Silizium-kompatibler Herstellungsprozess erlaubt es, mit der GaN-Technologie deutliche Leistungssteigerungen zu erreichen, ohne die…

MOSFETs im TO-220 FullPAK Wide Creepage

Isolationskriterien erfüllen

Wie lassen sich Isolationsvorschriften für MOSFETs ohne zusätzliche Arbeitsschritte und…

Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Mit ihrer innovativen Zellenstruktur erzielen die 650-V-IGBTs von Rohms dritter Generation…

Höhere Leistung und kompaktere Umrichter

Acht neue HV-IGBT-Module

Mitsubishi hat acht weitere HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV; 4,5…

Neue Gehäusetechnologie

Trenchstop Advanced Isolation für diskrete IGBTs

Die neue Gehäusetechnologie Trenchstop Advanced Isolation hat Infineon für seine…

Für effiziente ZVS-LLC-Resonanzwandler

MDmesh-MOSFETs mit Fast-Recovery-Diode

Die neu vorgestellten MDmesh-DK5-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind…

Für effiziente Spannungswandler

Monolithisch integrierte 600-V-GaN-Halbbrücke

Halbbrückenschaltungen sind Schlüsselbausteine vieler Spannungswandler-Typen. Eine neu…

Wide-Band-Gap-Halbleiter

Nischendasein von SiC und GaN bald beendet

Wenn eine wichtige Branchen-Messe ansteht, wird immer bereits im Vorfeld diskutiert, ob…

2D-Kurzschlussdetektion schützt IGBTs

Kurzschluss schneller erkennen

Moderne IGBTs brauchen aufgrund ihrer dünnen Chipdicke eine Schutzschaltung, die…

Leistungselektronik-Report

Der Power-MOSFET-Markt – Aktuelles und Trends

Yole Développement hat einen neuen Leistungselektronik-Bericht vorgelegt, in dem das…