Leistungshalbleiter

Toshiba / ISPDP 2017

Zielkonflikt zwischen ESD und Durchbruchspannung überwunden

Toshiba hat eine vollständig isolierte n-Kanal-LDMOS-Technologie entwickelt, die den Zielkonflikt zwischen Durchbruchspannung bei negativer Bias-Spannung (BVnb) und ESD-Robustheit überwindet. Dies präsentierte Tosiba auf der ISPSD 2017 in Sapporo…

Elektronik-Zeitreise

Schnelle Si-Dioden nach dem Ionen-Einpflanzungsverfahren

Einen erheblichen Fortschritt gegenüber diffundierten Silizium-Dioden stellten Dioden dar,…

Robustes IGBT-Modul von Mitsubishi

Feldausfälle minimieren

IGBT-Module in hochzuverlässigen Anwendungen müssen für bis zu 30 Jahre eine definierte…

Forschungsprojekt »eRamp«

Die Leistungselektronik in Deutschland und Europa stärken

Damit die Leistungselektronik im europäischen Raum auch zukünftig wettbewerbsfähig bleibt,…

IMS statt PCB

Optimale Entwärmung von GaN-Bauelementen auf Systemebene

Gerade bei hohen Strömen und Leistungen muss besonderes Augenmerk auf die thermische…

Texas Instruments

Leistungsdichte von Antrieben verdoppeln

Mit einer neuen Gate-Treiber-Architektur erlaubt es TI, die Leistungsdichte in Antrieben…

Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial

Licht aus dem Schatten des Siliziums

Das Potenzial von Galliumnitrid für Anwendungen in der Leistungs- und…

MOSFETs im TO-220 FullPAK Wide Creepage

Isolationskriterien erfüllen

Wie lassen sich Isolationsvorschriften für MOSFETs ohne zusätzliche Arbeitsschritte und…

Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Mit ihrer innovativen Zellenstruktur erzielen die 650-V-IGBTs von Rohms dritter Generation…

Höhere Leistung und kompaktere Umrichter

Acht neue HV-IGBT-Module

Mitsubishi hat acht weitere HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV; 4,5…