Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Kristallzüchtung

So entsteht ein SiC-Wafer

Siliziumkarbid ist Halbleitermaterial mit großer Zukunft. Allerdings ist die Herstellung solcher Wafer sehr komplex und schwierig. Die DESIGN&ELEKTRONIK sprach mit Dr. Robert Eckstein, CEO des SiC-Waferherstellers SiCrystal darüber, wie eigentlich…

Für 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung

100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

Seine U-MOS-VIII-H-Serie hat Toshiba um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs…

D3 Semiconductor

650-V-Superjunction-MOSFETs aus der Foundry

Mit D3 Semiconductor betritt ein neuer Teilnehmer den Markt für Leistungshalbleiter und…

PCIM Europe 2017

Elektromobilität als neuer Messefokus

In diesem Jahr hat die PCIM Europe einen neuen Schwerpunkt zu bieten – die E-Mobility Area…

APEC 2017

SiC-MOSFETs richtig eindesignen

Der erste Tag der APEC 2017 ist den insgesamt zwölf Professional Seminars gewidmet. Eine…

PCIM Asia 2017

Erneuerbare Energien und Elektromobilität im Fokus

Das Konferenzprogramm der PCIM Asia 2017 steht fest. Bei der Auswahl der Vorträge wurde…

ICs, Module und Entwicklungszubehör

Innovationen aus der Leistungselektronik

Es tut sich viel in der Leistungselektronik. Die Hersteller überschlagen sich geradezu mit…

Für leistungsfähige Sperrwandler

Neue 900-V-MOSFETs von STMicroelectronics

Für die Entwicklung leistungsfähiger und effizienter Stromversorgungen stellt…

Für höhere Leistungsdichte

IGBT-Module im 62-mm-Gehäuse

Infineon erweitert sein Angebot an IGBT-Modulen im 62-mm-Gehäuse. Die neuen…

Interview mit Power-Expertin

Si, SiC und GaN im Vergleich

Auf der SEMICON Europa 2016 hielt Dr. Elena Barbarini eine der Keynotes der Power…