Leistungshalbleiter

Kleinste Strukturen in Massenproduktion

Samsung ist neuer Fertigungsmeister

Es dauerte 42 Jahre, bis Konkurrent Samsung hinsichtlich der Logikdichte Intel an der Spitze der Chip-Fertigung ablöste – mit einem 10-nm-FinFET-Prozess, der seit Oktober 2016 in Massenproduktion ist. Auch wenn Intel sich die Krone bald zurückholen…

Für batteriebetriebene Anwendungen

StrongIRFET im neuen Gehäuse

Infineon ergänzt die StrongIRFET-Familie um einen 40-V-Baustein im neuen Gehäuse D2PAK…

Hoher Drain-Dauerstrom

30-V-n-Kanal-TrenchFET für Mobilgeräte

Vishay hat einen 30-V-n-Kanal-TrenchFET der vierten Generation präsentiert, der die…

Superjunction-MOSFETs

Neuer Anbieter im 650-V-Markt

Ein neuer Teilnehmer auf dem Leistungshalbleiter-Markt ist D3 Semiconductor. Das Ende 2011…

Siliziumkarbid-Kristallzüchtung

So entsteht ein SiC-Wafer

Siliziumkarbid ist Halbleitermaterial mit großer Zukunft. Allerdings ist die Herstellung…

Für 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung

100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

Seine U-MOS-VIII-H-Serie hat Toshiba um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs…

D3 Semiconductor

650-V-Superjunction-MOSFETs aus der Foundry

Mit D3 Semiconductor betritt ein neuer Teilnehmer den Markt für Leistungshalbleiter und…

PCIM Europe 2017

Elektromobilität als neuer Messefokus

In diesem Jahr hat die PCIM Europe einen neuen Schwerpunkt zu bieten – die E-Mobility Area…

APEC 2017

SiC-MOSFETs richtig eindesignen

Der erste Tag der APEC 2017 ist den insgesamt zwölf Professional Seminars gewidmet. Eine…

PCIM Asia 2017

Erneuerbare Energien und Elektromobilität im Fokus

Das Konferenzprogramm der PCIM Asia 2017 steht fest. Bei der Auswahl der Vorträge wurde…