Leistungshalbleiter

ICs, Module und Entwicklungszubehör

Innovationen aus der Leistungselektronik

Es tut sich viel in der Leistungselektronik. Die Hersteller überschlagen sich geradezu mit Ankündigungen. Wir haben hier einige Neuvorstellungen der letzten vier Wochen für Sie gesammelt.

Für leistungsfähige Sperrwandler

Neue 900-V-MOSFETs von STMicroelectronics

Für die Entwicklung leistungsfähiger und effizienter Stromversorgungen stellt…

Für höhere Leistungsdichte

IGBT-Module im 62-mm-Gehäuse

Infineon erweitert sein Angebot an IGBT-Modulen im 62-mm-Gehäuse. Die neuen…

Interview mit Power-Expertin

Si, SiC und GaN im Vergleich

Auf der SEMICON Europa 2016 hielt Dr. Elena Barbarini eine der Keynotes der Power…

Geplatzte Wolfspeed-Übernahme

Was sagt Infineon?

Am 16.2.2017 war bekannt geworden, dass Infineon den SiC-Pionier Wolfspeed doch nicht…

Richardson RFPD / Microsemi

Referenzdesign für SiC-MOSFET-Treiber

Richardson RFPD hat ein neues Dual-SiC-MOSFET-Treiber-Referenzdesign von Microsemi im…

Neue Gehäusevarianten

1200-V-SiC-MOSFET von Wolfspeed

Seine C3M-Plattform erweitert Wolfspeed um einen 1200-V-/75-mΩ-MOSFET mit neuen…

Niederspannungs-Serie erweitert

Neue 40- und 45-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Toshiba hat seine Niederspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Serie U-MOS IX-H um neue 40-V-…

Galliumnitrid-HEMTs

GaN im Einsatz

Langsam werden Leistungstransistoren aus Galliumnitrid marktreif. Da fragen sich die …

Interview mit Dr. Gerald Deboy, Infineon

CoolMOS – Hintergründe und Ausblicke einer Erfolgsstory

Kaum ein Bauteil hat die Leistungshalbleiterei so nachhaltig verändert wie der »CoolMOS«.…