Leistungshalbleiter

Mit Durchlassspannungen ab 0,36 V

Platzsparende TMBS-Dioden im MicroSMP-Gehäuse

Sein Angebot an oberflächenmontierbaren TMBS-Trench-MOS-Barrier-Schottky-Gleichrichtern hat Vishay Intertechnology um zehn 1A- und 2A-Ausführungen im MicroSMP-Gehäuse (DO--219AD) erweitert.

Ladungspumpe für 100 % Tastverhältnis

60-V-High-Side-n-Kanal-MOSFET-Treiber

Der LTC7003 von Linear Technology ist ein High-Side-n-Kanal-MOSFET-Treiber für…

Zwei neue Führungskräfte

Semikron verstärkt Geschäftsführung

Für führende Management-Positionen hat Semikron zwei international erfahrene…

Energie und Kosten sparen

Innovative Transistoren aus Metall-Nanopartikeln

Wissenschaftlern der Universität Hamburg ist es gelungen, Transistoren aus…

Elektronik-Zeitreise

Transistorisierter Zähler

Was bitte ist ein transistorierter Zähler? Ich höre das Wort heute auch zum ersten Mal.…

Im Portfolio von Richardson RFPD

Aktuelle 1000-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed

Bei Richardson RFPD sind die beiden 1000-V-SiC-Leistungs-MOSFETs C3M0065100J und…

Für 400- und 690-V-Anwendungen

Scale-iDriver-IC treibt 1700-V-IGBTs

Seine Scale-iDriver-Familie hat Power Integrations um galvanisch getrennte…

Für 12-V-Fahrzeug-Anwendungen

Zwei neue Leistungsschalter-Serien von Infineon

Infineon hat mit der Markteinführung von zwei High-Side-Schalter-Familien begonnen, die…

Jetzt im F5-Gehäuse

SiC-Schottky-Dioden von USCi

United Silicon Carbide Inc. (USCi) bietet die SiC-Schottky-Dioden der Serien UJD065x und…

PCIM-Europe-Konferenz 2018

Call for Papers hat begonnen

Sie kennen sich mit Leistungselektronik aus und möchten das Programm der…