Leistungshalbleiter

Ausbau der SiC-Fertigungskapazitäten

Paukenschlag auf der PCIM

Mit der Ankündigung, in den nächsten fünf Jahren insgesamt 1 Milliarde US-Dollar in den Ausbau der SiC-Fertigungskapazitäten zu investieren, hat Gregg Lowe, CEO & President von Cree, auf der PCIM in Nürnberg für einen Paukenschlag gesorgt.

Eine Milliarde Dollar für Siliziumkarbid

Gregg Lowe baut Cree komplett um

Auf der PCIM 2019 hat Gregg Lowe, der CEO von Cree, angekündigt, eine Milliarde US-Dollar…

Imec FutureSummit 2019

Imec ermöglicht eine echte GaN-IC-Technologie

Das Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, Imec,…

Für DC-Ladesäulen und Industrie

1200 V SiC-Dioden von Infineon

Infineon erweitert seine SiC-Dioden-Familie. Damit können herkömmliche Siliziumdioden…

Fraunhofer IAF / PCIM

Galliumnitrid-Power-ICs mit integrierter Sensorik

Forschern vom Fraunhofer IAF ist es gelungen, den Funktionsumfang von GaN-Power-ICs für…

PFC-Stufen für Bordladegeräte

SiC-Kaskoden sind die Lösung

Bordladegeräte benötigen PFC-Stufen, um die Grenzwerte der EN 61000-3-2 einzuhalten.…

PCIM in Nürnberg

E-Mobility steht weiter im Fokus

Die PCIM Europe bildet wie wohl kein anderes Event im Bereich der Leistungselektronik die…

MEV Elektronik

Hochspannungsmess-IC

MEV Elektronik stellt auf der PCIM mit dem NJU7890 von New Japan Radio (JRC) einen…

GaN-HEMTs vs. Silizium-MOSFETs

Wie viel besser ist GaN wirklich?

Wie viel besser sind GaN-HEMTs als Silizium-MOSFETs? Diese Frage soll quantitativ am…

MOSFETs und IGBTs

Ende der Achterbahnfahrt

Wie eine aktuelle Umfrage der Markt&Technik bei führenden Herstellern ergab, hat sich die…