Leistungshalbleiter

Fraunhofer IAF / PCIM

Galliumnitrid-Power-ICs mit integrierter Sensorik

Forschern vom Fraunhofer IAF ist es gelungen, den Funktionsumfang von GaN-Power-ICs für Spannungswandler signifikant zu steigern. Sie integrierten Strom- und Temperatursensoren zusammen mit Leistungstransistoren, Freilaufdioden und Gate-Treibern…

PFC-Stufen für Bordladegeräte

SiC-Kaskoden sind die Lösung

Bordladegeräte benötigen PFC-Stufen, um die Grenzwerte der EN 61000-3-2 einzuhalten.…

PCIM in Nürnberg

E-Mobility steht weiter im Fokus

Die PCIM Europe bildet wie wohl kein anderes Event im Bereich der Leistungselektronik die…

MEV Elektronik

Hochspannungsmess-IC

MEV Elektronik stellt auf der PCIM mit dem NJU7890 von New Japan Radio (JRC) einen…

GaN-HEMTs vs. Silizium-MOSFETs

Wie viel besser ist GaN wirklich?

Wie viel besser sind GaN-HEMTs als Silizium-MOSFETs? Diese Frage soll quantitativ am…

MOSFETs und IGBTs

Ende der Achterbahnfahrt

Wie eine aktuelle Umfrage der Markt&Technik bei führenden Herstellern ergab, hat sich die…

HF-Leistungs-MOSFETs

Robuste MOSFETs für HF-Leistungsverstärker

Für den Einsatz in HF-Leistungsverstärkern für industrielle Anwendungen und in der…

Fraunhofer IISB / PCIM

Keramisches Embedding für Wide-Bandgap-Halbleiter

Der beschränkende Faktor in der Leistungselektronik ist oft das Gehäuse. Dies gilt…

PI baut SCALE-iDriver-Programm aus

Einkanal-SiC-MOSFET-Gate-Treiber

Power Integrations erweitert seine erfolgreiche SCALE-iDriver-Familie um einen…

Interview mit Dr. Peter Wawer, Infineon

»Wir fühlen uns gut aufgestellt!«

Infineon hat ein sehr erfolgreiches, aber auch bewegtes Jahr 2018 hinter sich – Verkäufe,…