Leistungshalbleiter

GaN-Treiber / Universität Reutlingen

Drei Stufen geben GaN-Transistoren Sicherheit

GaN-HEMTs bieten ein enormes Potenzial für kompakte Leistungselektronik, da sie die Größe der passiven Bauelemente verringern. Allerdings bringt das schnelle Schalten Herausforderungen für den Gate-Treiber mit sich. Ein vollständig integrierter…

Friedrich-Alexander-Universität

Defekte in SiC-MOSFETs genauer, schneller und einfacher finden

An der Grenzfläche zwischen Siliziumkarbid und dem Gate-Oxid entstehen bei der Herstellung…

Friedrich-Alexander-Universität

SiC besser verstehen

Forscher der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) haben eine einfache…

Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Auch STMicroelectronics bindet sich langfristig an Cree

Nach Infineon und einem namentlich nicht genannten weltweit führenden Chiphersteller ist…

Vertikale Galliumoxid-MOSFETs

Nun kostengünstig und leicht herzustellen

Ein vollständiges Ionen-Implantationsverfahren für den Wide-Bandgap-Halbleiter Galliumoxid…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Das Bessere ist der Feind des Guten

Die Technologie und Topologie so zu optimieren, dass das Optimum an Effizienz und…

Power Integrations

Ab sofort geht es auch ohne Kühlkörper

Mit der neu entwickelten BridgeSwitch-Familie bringt Power Integrations…

Power Integrations

Ab sofort geht es auch ohne Kühlkörper

Mit der neu entwickelten BridgeSwitch-Familie bringt Power Integrations…

RISC-V-Mikrocontroller

Open-Source-Prozessor von Western Digital

Auf Open-Source-Basis bietet Western Digital seinen neuen RISC-V-Prozessorkern SweRV Core…

Vom Elektroflitzer bis zur KI im Weltall

Die besten Markt&Technik-Titelbilder 2018

Die Markt&Technik-Redaktion hat aus den 50 Ausgaben der unabhängigen Wochenzeitung für…