Leistungshalbleiter

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Vier Koryphäen im Video-Interview

Auf unserem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018 waren einige der Koryhäen der Branche mit einem Vortrag dabei. Wir konnten die Keynote-Sprecher Dr. Gerald Deboy und Dr. Alex Lidow sowie Dr. Richard Reiner und Dr. Martin Schulz zu ihren Beiträgen…

Infineon / Siliziumkarbid

SiC-Power-Modul für USV und Energiespeicherung

Um der Nachfrage nach Lösungen für Siliziumkarbid gerecht zu werden, hat Infineon seine…

Energieeffiziente Schaltungsdesigns

Kühl, klein und schnell mit GaN

73 Milliarden Kilowattstunden an Energie werden die Rechenzentren in den USA laut einer…

Leistungshalbleiter

Neues Material besser als GaN

Scandiumaluminiumnitrid verspricht noch bessere Wirkungsgrade und längere Lebensdauern für…

GaN-Treiber / Universität Reutlingen

Drei Stufen geben GaN-Transistoren Sicherheit

GaN-HEMTs bieten ein enormes Potenzial für kompakte Leistungselektronik, da sie die Größe…

Friedrich-Alexander-Universität

Defekte in SiC-MOSFETs genauer, schneller und einfacher finden

An der Grenzfläche zwischen Siliziumkarbid und dem Gate-Oxid entstehen bei der Herstellung…

Friedrich-Alexander-Universität

SiC besser verstehen

Forscher der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) haben eine einfache…

Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Auch STMicroelectronics bindet sich langfristig an Cree

Nach Infineon und einem namentlich nicht genannten weltweit führenden Chiphersteller ist…

Vertikale Galliumoxid-MOSFETs

Nun kostengünstig und leicht herzustellen

Ein vollständiges Ionen-Implantationsverfahren für den Wide-Bandgap-Halbleiter Galliumoxid…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Das Bessere ist der Feind des Guten

Die Technologie und Topologie so zu optimieren, dass das Optimum an Effizienz und…