Leistungshalbleiter

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

So viel günstiger ist Galliumoxid als Siliziumkarbid

Eine Kostenanalyse des National Renewable Energy Laboratory (NREL) belegt, welches Potenzial der Einsatz von Galliumoxid in der Leistungselektronik haben könnte. Die Forscher kommen zu dem Schluss, dass Galliumoxid-Wafer drei- bis fünfmal günstiger…

Interview Prof. Leo Lorenz / PCIM

Dekade der Aufbau- und Verbindungstechnik eingeläutet

Vom 7. bis 9. Mai 2019 findet wieder die PCIM Europe statt. Im Video-Interview sprach…

Galliumnitrid-Transistoren

Einheitliches Testverfahren für den dynamischen On-Widerstand

Ein zentrales Anliegen von Anwendern von GaN-HEMTs ist der dynamische On-Widerstand. Mit…

VisIC Technologies

GaN-Halbbrückenmodul mit 1200 V

1200-V-Halbbrückenmodule sind Standardkomponenten in der Umrichtertechnik – viele Jahre…

SiC-Leistungshalbleiter

STMicroelectronics beteiligt sich an SiC-Wafer-Hersteller

Den Zugriff auf die Lieferkette für Siliziumcarbid sichert sich STMicroelectronics mit…

STMicroelectronics

Mehrheitsbeteiligung an SiC-Waferhersteller übernommen

STMicroelectronics hat eine Vereinbarung über den Erwerb einer Mehrheitsbeteiligung am…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Vier Koryphäen im Video-Interview

Auf unserem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018 waren einige der Koryhäen der Branche…

Infineon / Siliziumkarbid

SiC-Power-Modul für USV und Energiespeicherung

Um der Nachfrage nach Lösungen für Siliziumkarbid gerecht zu werden, hat Infineon seine…

Energieeffiziente Schaltungsdesigns

Kühl, klein und schnell mit GaN

73 Milliarden Kilowattstunden an Energie werden die Rechenzentren in den USA laut einer…

Leistungshalbleiter

Neues Material besser als GaN

Scandiumaluminiumnitrid verspricht noch bessere Wirkungsgrade und längere Lebensdauern für…