Leistungshalbleiter

HF-Leistungs-MOSFETs

Robuste MOSFETs für HF-Leistungsverstärker

Für den Einsatz in HF-Leistungsverstärkern für industrielle Anwendungen und in der Medizintechnik hat Ampleon ein neues LDMOS-Transistorenpaar entwickelt. Mit ihm lassen sich Wirkungsgrade von bis zu 72,5 % erreichen.

Fraunhofer IISB / PCIM

Keramisches Embedding für Wide-Bandgap-Halbleiter

Der beschränkende Faktor in der Leistungselektronik ist oft das Gehäuse. Dies gilt…

PI baut SCALE-iDriver-Programm aus

Einkanal-SiC-MOSFET-Gate-Treiber

Power Integrations erweitert seine erfolgreiche SCALE-iDriver-Familie um einen…

Interview mit Dr. Peter Wawer, Infineon

»Wir fühlen uns gut aufgestellt!«

Infineon hat ein sehr erfolgreiches, aber auch bewegtes Jahr 2018 hinter sich – Verkäufe,…

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

So viel günstiger ist Galliumoxid als Siliziumkarbid

Eine Kostenanalyse des National Renewable Energy Laboratory (NREL) belegt, welches…

Interview Prof. Leo Lorenz / PCIM

Dekade der Aufbau- und Verbindungstechnik eingeläutet

Vom 7. bis 9. Mai 2019 findet wieder die PCIM Europe statt. Im Video-Interview sprach…

Galliumnitrid-Transistoren

Einheitliches Testverfahren für den dynamischen On-Widerstand

Ein zentrales Anliegen von Anwendern von GaN-HEMTs ist der dynamische On-Widerstand. Mit…

VisIC Technologies

GaN-Halbbrückenmodul mit 1200 V

1200-V-Halbbrückenmodule sind Standardkomponenten in der Umrichtertechnik – viele Jahre…

SiC-Leistungshalbleiter

STMicroelectronics beteiligt sich an SiC-Wafer-Hersteller

Den Zugriff auf die Lieferkette für Siliziumcarbid sichert sich STMicroelectronics mit…

STMicroelectronics

Mehrheitsbeteiligung an SiC-Waferhersteller übernommen

STMicroelectronics hat eine Vereinbarung über den Erwerb einer Mehrheitsbeteiligung am…