Leistungshalbleiter

Cree und ON Semiconductor

Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Nach Infineon, einem namentlich nicht genannten Unternehmen sowie STMicroelectronics hat nun auch ON Semiconductor einen mehrjährigen Liefervertrag für SiC-Wafer von Cree unterschrieben.

Showa Denko / SiC-Epitaxiewafer

Defektdichte halbiert

»HGE-2G« heißt die zweite Generation von hochwertigen 150-mm-Epitaxiewafern aus…

3. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hochkarätiges Kongressprogramm

Mit einem Quartett hochkarätiger Keynote-Speaker wartet das diesjährige…

Mit 420 Chips von Infineon

TU München gewinnt Hyperloop-Wettbewerb

463 km/h hat der Hyperloop-Pod der TU München erreicht – ausgestattet mit nicht weniger…

Batteriemanagementsystem

Höchste Genauigkeit und höchstes Sicherheitsniveau

Die Zahl von EVs/HEVs steigt und damit auch der Bedarf an Batteriemanagementsystemen…

Interview mit Gregg Lowe, Cree

Warum wir eine Milliarde Dollar investieren

Waferkapazität ist der Engpass bei der Kommerzialisierung von Siliziumkarbid. Auf der PCIM…

Infineons CoolSiC-MOSFETs-Portfolio

Beschleunigter Rollout

Infineon Technologies erweitert das Spektrum seiner 1200-V-CoolSiC-MOSFETs und startet…

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»Der 48-V-Automotive-Markt ist ein GaN-Markt«

Dr. Alex Lidow, Gründer und CEO von EPC, ist so etwas wie der Evangelist der…

Efficient Power Conversion

Galliumnitrid-HEMTs nun als Bare Dies erhältlich

Dass Alex Lidow, CEO von Efficient Power Conversion, Gehäuse hasst, ist weit und breit…

Interview mit Gregg Lowe, Cree

SiC als Schlüssel für die E-Mobilität

Gregg Lowe, CEO von Cree, setzt auf Siliziumkarbid. Nach der Investition von 1 Mrd. Dollar…