Leistungshalbleiter

Power-Talk Teil 1

Wachstumstreiber SiC und GaN

Auch wenn Thomas Grasshoff, Semikron-Danfoss, Alfred Hesener, Navitas und Ole Gerkensmeyer, Wolfspeed, nicht von paradiesischen Marktverhältnissen sprechen wollen, die Wachstumsaussichten in der Leistungshalbleiterbranche sind für die nächsten…

SiC-Technologie für schnelles Schalten

Überlegene Schaltleistung und Leistungskennzahlen

Onsemi hat seine SiC-MOSFETs der EliteSiC-M3S-Technologie auf die Anforderungen schneller…

Milliarden-Investitionen für SiC

Der Wettlauf hat längst begonnen

Natürlich wird die Automobilindustrie bis 2030 weiterhin der größte Abnehmer von…

Entwicklung von SiC-Leistungshalbleitern

Mitsubishi und Nexperia kooperieren

Mitsubishi Electric ist eine strategische Kooperation mit Nexperia eingegangen, um in…

Globaler Leistungshalbleiter-Bedarf

Wettlauf um den Ausbau der Fertigungskapazitäten

Mit Milliardeninvestitionen in ihre Fertigungskapazitäten versuchen…

Oberseitig gekühlte MOSFETs

Höhere Leistungsdichte statt Überhitzung

MOSFETs, die ihre entstehende Abwärme direkt an einen Kühlkörper abgeben, erzeugen keine…

Wide-Bandgap-Materialien im Fokus

Impulsstrompotenzial von SiC-FETs

WBG-Halbleiterschalter wie etwa SiC-FETs zeichnen sich durch geringe statische und…

Heraeus

Einstieg bei Zadient Technologies und SiC

Die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern ist enorm. Mit einer millionenschweren…

Mit aktiver Klemmung

Hoher Wirkungsgrad für PFSB-Wandler

Vollbrückenwandler beschaltet man meist mit einem Löschglied, um Schwingungen oder…

Asset-Tracker länger arbeiten lassen

Ein geringstmöglicher Ruhestrom ist entscheidend

Asset-Tracker müssen je nach ihrer spezifischen Anwendung mehrere Wochen bis zu einige…