Leistungshalbleiter

Oberseitig gekühlte MOSFETs

Höhere Leistungsdichte statt Überhitzung

MOSFETs, die ihre entstehende Abwärme direkt an einen Kühlkörper abgeben, erzeugen keine Hotspots auf der Leiterplatte, sondern sie tragen durch die Vermeidung von übermäßiger Wärmeableitung zu höheren Leistungsdichten und damit zu kleineren und…

Wide-Bandgap-Materialien im Fokus

Impulsstrompotenzial von SiC-FETs

WBG-Halbleiterschalter wie etwa SiC-FETs zeichnen sich durch geringe statische und…

Heraeus

Einstieg bei Zadient Technologies und SiC

Die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern ist enorm. Mit einer millionenschweren…

Mit aktiver Klemmung

Hoher Wirkungsgrad für PFSB-Wandler

Vollbrückenwandler beschaltet man meist mit einem Löschglied, um Schwingungen oder…

Asset-Tracker länger arbeiten lassen

Ein geringstmöglicher Ruhestrom ist entscheidend

Asset-Tracker müssen je nach ihrer spezifischen Anwendung mehrere Wochen bis zu einige…

Ausbau der Produktionskapazität

Fette Milliarden-Investitionen in SiC-Wafer- und Chips

In einer Studie kam die Boston Consulting Group zu dem Schluss, dass noch Investitionen…

Versorgungslage bei Leistungshalbleitern

»Alles läuft in die richtige Richtung«

Zwar fallen IGBTs und MOSFETs immer noch mit hohen Lieferzeiten auf, die flächendeckende…

GaN könnte bald allgegenwärtig werden

»Ob SiC oder GaN, das entscheidet die Spannungsebene«

Doug Bailey, Vice President für Marketing bei Power Integrations, erläutert seine Sicht…

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Zwei Tage rund um Silizium, SiC und GaN

Sie wollen sich über den bestmöglichen und effizientesten Einsatz von Silizium-, SiC- und…

3,3-kV-Full-SiC-Halbleitermodule

Höhere Schaltfrequenzen verringern Verluste

Mitsubishi Electric fokussiert mit den Full-SiC-Halbleitermodulen FMF185DC-66A und…