Leistungshalbleiter

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen.

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V…

Advertorial: Würth Elektronik

Ein DC/DC-Power-Modul für viele Anwendungen

Moderne DC/DC-Power-Module müssen vielen Anforderungen zur gleichen Zeit gerecht werden.…

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und…

Verpresste Spulen

Spannungsspezifikation steigert Zuverlässigkeit

Steigende Stromdichten und kurze Schaltzeiten in MOSFETs führen zu höheren Anforderungen…

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer…

CoolSiC-MOSFETs 3300 V

Infineon für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

Infineon Technologies ist für die Entwicklung eines MOSFETs auf SiC-Basis für den…

Durchbruch bei Infineon

GaN auf 300-mm-Wafern

Infineon Technologies ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid…

Forschung für Satellitenkommunikation

GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker

Im Projekt »Magellan« entwickeln Forschende des Fraunhofer IAF gemeinsam mit UMS und TESAT…

Integration in Traktionswechselrichtern

Rohm SiC-MOSFETS in EV-Modellen des ZEEKR von Geely

Rohm stellt Leistungsmodule mit SiC-MOSFET-Chips der 4. Generation für die Produktion von…