Leistungshalbleiter

Aerospace/Defense/5G

GaN-on-SiC-Leistungsverstärker für höchste Ansprüche

Es gibt Anwendungen, die extrem hohe Anforderungen an die genutzten Leistungsverstärker mit sich bringen. GaN on SiC hat die höchste Leistungsdichte, um eine hohe lineare Ausgangsleistung bei einem hohem Wirkungsgrad zu erzeugen – genau das richtige für hohe Ansprüche.

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 1: Unerwartet holprige Geschäftsentwicklung

In den letzten Jahren war der Boom der Leistungshalbleiter ungebrochen, die jährlichen...

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Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V...

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Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar...

Advertorial: Würth Elektronik

Ein DC/DC-Power-Modul für viele Anwendungen

Moderne DC/DC-Power-Module müssen vielen Anforderungen zur gleichen Zeit gerecht...

Verpresste Spulen

Spannungsspezifikation steigert Zuverlässigkeit

Steigende Stromdichten und kurze Schaltzeiten in MOSFETs führen zu höheren...

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer...

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und...

CoolSiC-MOSFETs 3300 V

Infineon für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

Infineon Technologies ist für die Entwicklung eines MOSFETs auf SiC-Basis für den...

Durchbruch bei Infineon

GaN auf 300-mm-Wafern

Infineon Technologies ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid...