Leistungshalbleiter

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen.

Advertorial: Würth Elektronik

Ein DC/DC-Power-Modul für viele Anwendungen

Moderne DC/DC-Power-Module müssen vielen Anforderungen zur gleichen Zeit gerecht...

Verpresste Spulen

Spannungsspezifikation steigert Zuverlässigkeit

Steigende Stromdichten und kurze Schaltzeiten in MOSFETs führen zu höheren...

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer...

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und...

CoolSiC-MOSFETs 3300 V

Infineon für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

Infineon Technologies ist für die Entwicklung eines MOSFETs auf SiC-Basis für den...

Durchbruch bei Infineon

GaN auf 300-mm-Wafern

Infineon Technologies ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid...

Forschung für Satellitenkommunikation

GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker

Im Projekt »Magellan« entwickeln Forschende des Fraunhofer IAF gemeinsam mit UMS und...

Integration in Traktionswechselrichtern

Rohm SiC-MOSFETS in EV-Modellen des ZEEKR von Geely

Rohm stellt Leistungsmodule mit SiC-MOSFET-Chips der 4. Generation für die Produktion...

Vishay

MOSFET-Treiber für hohe Temperaturen

Seit kurzem sind bei Rutronik die Power MOSFETs der Vishay E-Serie SIHD180N60ET4-GE3...