Leistungshalbleiter

Forschung für Satellitenkommunikation

GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker

Im Projekt »Magellan« entwickeln Forschende des Fraunhofer IAF gemeinsam mit UMS und TESAT im Auftrag der ESA bis 2027 neuartige effiziente GaN-Transistoren und -Hochleistungsverstärker für LEO- und GEO-Kommunikationssatelliten mit hohem Datendurchsatz.

Integration in Traktionswechselrichtern

Rohm SiC-MOSFETS in EV-Modellen des ZEEKR von Geely

Rohm stellt Leistungsmodule mit SiC-MOSFET-Chips der 4. Generation für die Produktion...

Vishay

MOSFET-Treiber für hohe Temperaturen

Seit kurzem sind bei Rutronik die Power MOSFETs der Vishay E-Serie SIHD180N60ET4-GE3...

Industrielles Elektronikdesign

Galvanische Isolation sicher, schnell und kompakt

In zahlreichen Anwendungen sind Schaltungen für Hoch- und Niedervoltspannungen...

2-Mrd.-Euro-Investition

Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia

Infineon Technologies hat in Malaysia die erste Phase einer neuen Fertigung eingeweiht....

Passive BE & Leistungshalbleiter

Entwickler- & Einkäufertage: Call for Papers gestartet

Jetzt Vortragsvorschläge einreichen: Am 27. und 28. November veranstaltet die...

GaN

Infineon weitet Patentverletzungsklage gegen Innoscience aus

Infineon Technologies hat am 23. Juli 2024 die vor dem Bezirksgericht im Northern...

Wertschöpfungskette steht

Leistungshalbleiter mit Aluminiumnitrid – made in Germany

Deutsche Forschungspartner demonstrieren erstmals die praktische Umsetzung einer...

Besseres Systemdesign bei DC/DC-Wandlern

Spitzenwirkungsgrade bis 97 Prozent

Mit microBrick vereinfacht Vishay den Aufbau eines hocheffizienten DC/DC-Wandlers mit...

GaN-basiertes Leistungsmodul

Hoher Wirkungsgrad, klein, kostengünstig und leise

Texas Instruments (TI) hat mit dem DRV7308 laut eigener Aussage das industrieweit erste...