Leistungshalbleiter

Wertschöpfungskette steht

Leistungshalbleiter mit Aluminiumnitrid – made in Germany

Deutsche Forschungspartner demonstrieren erstmals die praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter - vom Grundmaterial bis zur Bauelementfertigung.

Besseres Systemdesign bei DC/DC-Wandlern

Spitzenwirkungsgrade bis 97 Prozent

Mit microBrick vereinfacht Vishay den Aufbau eines hocheffizienten DC/DC-Wandlers mit…

GaN-basiertes Leistungsmodul

Hoher Wirkungsgrad, klein, kostengünstig und leise

Texas Instruments (TI) hat mit dem DRV7308 laut eigener Aussage das industrieweit erste…

Mehrjähriger Vertrag

onsemi wird Hauptlieferant für Volkswagen Group

onsemi hat mit der Volkswagen Group einen mehrjährigen Vertrag abgeschlossen, wonach…

Semikron Danfoss setzt auf Automotive

»eMPack-Serienproduktion ab 4. Quartal«

Von einer kurzzeitigen Abkühlung eines durch die Allokation überhitzten Marktes spricht…

In zwei Minuten informiert

Video-Wochenrückblick: BMW, Farnell, Quantentechnologien

KI-Moderatorin Elli präsentiert Technik, Trends und Innovationen aus der Elektronik-Welt.…

SiC-Rampe wird ab 2025 immer steiler

Stromhunger von KI-Anwendungen treibt Leistungshalbleiter-Markt

Im SiC-Bereich fallen die neuen 400-V-SiC-MOSFETs von Infineon auf, andere Unternehmen…

In zwei Minuten informiert

Video-Wochenrückblick: Kleinste LED, China investiert groß, ew25

KI-Moderatorin Elli präsentiert Technik, Trends und Innovationen aus der Elektronik-Welt.…

Weniger Abschalt- und Leitungsverluste

Neue Generation von SiC-MOSFETs

Um den steigenden Stromverbrauch in den Griff zu bekommen wird es entscheidend sein,…

Fraunhofer IAF

1200-V-GaN-HEMTs für die Energiewende

Das Fraunhofer IAF entwickelt neuartige Technologien für laterale und vertikale…