Zukunft der Bauelemente
Chips 2020 – von der Nano- zur Femtoelektronik
Fortsetzung des Artikels von Teil 4
Literatur und Autor
[1] Höfflinger, B.: Chips 2020 – Ein Ausblick in die Halbleiterwelt von übermorgen, Elektronik, Heft 1/2000, S. 10 ff.
[2] Hoefflinger, B.: CHIPS 2020 – The Future of Nanoelectronics, Springer Berlin, Heidelberg, New York, S. 474 ff., 2012.
[3] Kaul, H.; Anders, M.: A 1.45 GHz 52-to-162 GFLOPS/W Variable-Precision Floating-Point Fused Multiply-Add Unit with Certainty-Tracking in 32nm CMOS, IEEE Int. Solid-State Circ. Conf. (ISSCC), Dig. Tech. Papers, S. 182–183, Febr. 2012.
[4] Pawlowski, R.; Krimer, E.: A 530mV 10-Lane SIMD Processor with Variation-Resiliency in 45nm SOI, IEEE Int. Solid-State Circ. Conf. (ISSCC), Dig. Tech. Papers, S. 492–493, Febr. 2012.
[5] MOS Low-Voltage Differential Logic, section 3.6 in [2].
[6] Jung, B.-H.; Kang, S.-C.: Novel bootstrapped CMOS differential logic family for ultra-low voltage SoC's. IEICE Electronics Express, vol. 5, no. 18, S. 711–717, 2008, DOI: 10.1587/elex.5.711.
[7] Roos, G.: Dissertation: Zur drei-dimensionalen Integration von CMOS-Schaltungen, Fortschrittsberichte VDI, Reihe 9: Elektronik, Nr. 168, S. 169 ff., VDI-Verlag Düsseldorf, 1993.
[8] Towards Terabit Memories, chapter 11 in [2].
[9] Lin, B.: Nanolithography, chapter 8 in [2].
[10] ITRS: The International Technology Roadmap for Semiconductors, chapter 7 in [2].
[11] Kimmich, G.: 3D Integration for Wireless Multimedia, chapter 12 in [2].
[12] Spaanenburg, L.; Malki, S.: Digital Neural Networks for New Media, chapter 16 in [2].
[13] www.darpa.gov/synapse
[14] Delagi, G.: Technology for the Next-Generation Mobile User Experience, chapter 13, in [2]. Manoli, Y.: Energy Harvesting and Chip Autonomy, chapter 19 in [2].
[15] Requirements and Markets for Nanoelectronics, chapter 6 in [2]. Education and Research for the Age of Nanoelectronics, chapter 22 in [2].
Prof. Dr. Bernd Höfflinger studierte Physik in Göttingen und München. Nach drei Jahren im Forschungslabor München der Siemens AG nahm er eine Professur an der Cornell University in USA an. 1970 kehrte er als MOS-Produktleiter zu Siemens zurück. Als Mitbegründer der produktionstechnisch orientierten Universität Dortmund gründete er die Fakultät für Elektrotechnik und baute u.a. eine produktionsreife MOS-Pilotlinie auf. Im Zuge großer wissenschaftlicher Bauprogramme wurde Höfflinger als Managing-Dekan der Elektrotechnik-Fakultäten an den Universtäten in Minnesota und in Indiana eingeladen und schließlich für den Aufbau des Instituts für Mikroelektronik Stuttgart. Dieses Institut für Auftragsentwicklung und -fertigung innovativer Mikroelektronik leitete er dann 20 Jahre lang. 1993 wurde es das weltweit erste nach ISO 9001 zertifizierte Forschungsinstitut, und aus ihm stammen u.a. die ELEKTRONIK-ASICs des Jahres 1995, eines der ELEKTRONIK-Produkte des Jahres 2004, eine miniaturisierte hochdynamische CMOS-Kamera (HDRC), der Retina-Implantat-Chip für Blinde und die ersten Testmasken für EUV-Lithografie. Höfflinger ist Autor oder Mitautor hunderter Veröffentlichungen und Herausgeber von vier Büchern. Er ist korrespondierendes Mitglied der Nordrhein-Westfälischen Akademie der Wissenschaften und der Künste. (bhoefflinger@t-online.de)
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