Dünn- und Dickschichtwiderstände
Selbst bei >200 °C höchst funktionssicher
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Einfluss des Temperaturkoeffizienten
![Bild 3: Prüfung des Temperaturkoeffizienten [-55°C; +200°C] an Hochtemperatur-Dickschicht-Chip-Widerständen; CHPHT2010; 1,2 KΩ](https://cdn.elektroniknet.de/thumbs/media_uploads/images/1417442901-3-vishay-sfernice-bild3.jpg.1280x0.webp "Bild 3: Prüfung des Temperaturkoeffizienten [-55°C; +200°C] an Hochtemperatur-Dickschicht-Chip-Widerständen; CHPHT2010; 1,2 KΩ")
Das Ziel einer Prüfung des Temperaturkoeffizienten ist der Vergleich des Verhaltens von Standard-Dickschicht-Chip-Widerständen in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +155 °C und Hochtemperatur-Dickschicht-Chip-Widerständen in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +200 °C (siehe Bild 3), wobei letztere über dieselben Widerstandsschichten und Gold-Anschlüsse verfügen und auf dem gleichen Verfahren basieren.
Messungen verschiedener Chargen mit unterschiedlichen Resistivitätsmerkmalen zeigen, dass:
- Hochtemperatur-Dickschicht-Chip-Widerstände in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +200 °C das gleiche Verhalten aufweisen wie Standard-Dickschicht-Chip-Widerstände in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +155 °C;
- die Messung konstant ist, unabhängig davon, welche Resistivität eingesetzt wird;
- auf Basis der verschiedenen Tests der Temperaturkoeffizient bei Temperaturen bis zu 230 °C innerhalb des 100 ppm/K-Bereichs bleibt.
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- Verhalten von Dünnschicht-Widerstandsnetzwerken bei hohen Temperaturen
- Untersuchungen hinsichtlich der Load-Life-Stabilität
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