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EPFL / Leistungselektronik

GaN-Nanotransistoren halten hohen Spannungen stand

Mithilfe zweier Innovationen hat ein Team der EPFL Nanotransistoren aus Galliumnitrid für Hochleistungsanwendungen entwickelt, die über 1000 V standhalten. Damit ließe sich beispielsweise die Reichweite von Elektrofahrzeugen vergrößern.

Kontroverse um die EU-2-nm-Foundry

Eine Superidee – aber auch realistisch?

Über Jahrzehnte ist der Anteil der europäischen Halbleiter-Fertigung stetig geschrumpft;…

Liefersicherheit bei Siliziumkarbid

Infineon schließt Liefervertrag mit Showa Denko

Im Rahmen ihrer Multisourcing-Strategie bei Siliziumkarbid hat Infineon einen…

Halbleitermangel

Stellantis konnte fast 200.000 Autos nicht bauen

Der weltweite Mangel an Elektronikbauteilen macht dem Opel-Mutterkonzern Stellantis schwer…

Produkte des Jahres 2021

Die Sieger der Kategorie »Power«

8 Top-Produkte aus der Stromversorgung schickte die Elektronik-Redaktion in der Kategorie…

PCIM Europe digital days

Leistungselektronik in seiner ganzen Breite erleben

Vom 3. bis 7. Mai können sich Teilnehmer der PCIM Europe über die neuesten Trends der…

Für schnell schaltende Anwendungen

MOSFET-Modul optimiert die Leistung von Solaranlagen

Infineon hat den EasyPack-2B-Modulen der 1200-V-Familie ein neues Bauteil hinzugefügt.…

Neue 300-mm-Fab in Dresden

Erster Meilenstein erreicht und abgehakt

Exakt im Zeitplan verläuft bislang der Bau und die schrittweise Inbetriebnahme der…

Interview with Dr. Peter Friedrichs

20 Years of Silicon Carbide at Infineon

Infineon launched the first silicon carbide components 20 years ago. Dr. Peter Friedrichs,…

PCIM Europe 2021 Digital Days

GaN-FETs und -ICs mit hoher Leistungsdichte

Efficient Power Conversion (EPC) stellt auf den PCIM Europe 2021 Digital Days seine…