Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

STMicroelectronics

Erste 200-mm-SiC-Wafer produziert

STMicroelectronics hat die ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) für das Prototyping einer neuen Generation von Power-Bauelementen im Werk Norrköping (Schweden) gefertigt.

Organ-on-a-Chip

Mini-Organ zur Früherkennung von Krebs

Forscher ahmen Entwicklung der Bauchspeicheldrüse auf Chip nach

WAYON

700-V-Superjunction-Mosfets

Durch höhere Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance zeichnen sich die…

Heraeus Electronics

PowerAmerica beigetreten

Heraeus Electronics wird Mitglied von PowerAmerica, um die Kommerzialisierung von…

Kommentar

Ist das Ende nahe?

Ein Ende der Endzeitprophetien ist nicht abzusehen - aber in Moore´s Law und den Zyklen…

ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern…

Kommentar

Klare Zukunftsstrategie statt Wunschträumen

In der Not sprudelt das Füllhorn staatlicher Förderungen ganz besonders großzügig. Vor…

Weitere Fertigungskapazitäten gesichert

Nexperia erwirbt Newport Wafer Fab

Schon bisher war Nexperia Kunde der Newport Wafer Fab. Nun hat Nexperia diese Foundry…

Vertikal integriert Fertigungskette

China bei SiC-Rohwafern nun unabhängig

Chinas erste vertikal integrierte Fertigungskette für Siliziumkarbid (SiC) hat Hunan…

Advertorial

Nach Si kommt SiC

Die Siliziumkarbid (SiC) Technologie eignet sich hervorragend um Silizium (Si) in MOSFETs…