Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Rohm Semiconductor

Netzteile mit 1700-V-SiC-MOSFETs plus Regler einfach designen

Bei SiC-MOSFETs gibt es noch einige Herausforderungen hinsichtlich ihrer Anwendung. Vor allem die Anpassung der Gate-Treiber und das Design der Klemmschaltung gegen Überspannungen sind mit zusätzlichen Kosten und erhöhtem Aufwand verbunden. Das muss nicht sein.

Fokus auf SiC-Leistungshalbleiter

Rohm und Geely erweitern strategische Partnerschaft

Auch wenn der Halbleiterhersteller Rohm und der chinesische Automobilhersteller Geely...

Interview mit Peter Schiefer, Infineon

»Covid hat vieles verändert«

Automatisiertes Fahren, Elektrifizierung des Antriebs, alles Themen, die Infineon...

Energy-Harvesting-On-Chip-Subsystem

Ohne Batteriewechsel auskommen im IoT

Renesas‘ MCU-Familie RE01 ist für die Entwicklung von Energy-Harvesting-Systemen...

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Tipps und Tricks für den richtigen Einsatz

Vier hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen „Anwenderforums...

Infineon und Panasonic

Zweite GaN-Generation kommt 2023

Infineon und Panasonic haben vereinbart, im ersten Halbjahr 2023 eine zweite Generation...

Medizinelektronik

Wenn es auf die Größe ankommt

Kompakter Single-Chip PMIC von Nordic bei Rutronik erhältlich

Yole Développement

China drängt auf den MOSFET-Markt

Bei Silizium-MOSFETs wird das künftige Wachstum besonders aus dem Automobilbereich...

Leistungselektronik in Windkraftanlagen

Komponenten offshore-tauglich machen

Leistungselektronik sorgt in Windkraftanlagen dafür, dass die fluktuierend erzeugte...

Erweiterte Siliziumkarbid-Kapazitäten

onsemi übernimmt GTAT für 415 Mio. US-Dollar

Nun hat sich auch Infineon-Rivale onsemi im Bereich der SiC-Rohmaterialien verstärkt....