Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

IGBT-Halbbrücken-Design

Die Leistungselektronik für E-Fahrzeuge vereinfachen

Leistungswandler in Elektrofahrzeugen basieren auf einer Halbbrückenkonfiguration. Was beim Design einer solchen IGBT-Halbbrücke zu beachten ist, beschreibt dieser Beitrag. Der Fokus dabei liegt auf der High-Voltage-Seite (Ausgangsstufe) des Gate-Treibers.

Drahtloses Laden

Am Konsumelektronik-Markt ist Qi gesetzt

Die Analysten von MarketsandMarkets erwarten, dass der Gesamtmarkt für kabelloses Laden...

1200-V-Ultrafast-Gen-5-Dioden von Vishay

Perfekter Mix aus Energieeffizienz und Robustheit

Als H- und X-Serie bringt Vishay die neuen 1200-V-Ultrafast-Gen-5-Dioden auf den Markt....

WPC/Qi ist die erste Generation

»Sie wird durch Technologien der 2. Generation ersetzt«

Der Markt mit Wireless Power (WP) bzw. kabelloser Ladetechnik wird derzeit vom...

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

SiC beschränkt sich nicht mehr nur auf Automotive und Solar

Hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen »Anwenderforums...

STMicroelectronics

Erste 200-mm-SiC-Wafer produziert

STMicroelectronics hat die ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer (SiC) für...

Organ-on-a-Chip

Mini-Organ zur Früherkennung von Krebs

Forscher ahmen Entwicklung der Bauchspeicheldrüse auf Chip nach

WAYON

700-V-Superjunction-Mosfets

Durch höhere Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance zeichnen sich die...

Heraeus Electronics

PowerAmerica beigetreten

Heraeus Electronics wird Mitglied von PowerAmerica, um die Kommerzialisierung von...

Kommentar

Ist das Ende nahe?

Ein Ende der Endzeitprophetien ist nicht abzusehen - aber in Moore´s Law und den Zyklen...