Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Imec und Aixtron

GaN-Epitaxie für 1200-V-Anwendungen demonstriert

Das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid-Pufferschichten für 1200-V-Anwendungen auf 200-mm-QST-Wafern von Qromis haben das imec und Aixtron demonstriert. Damit könnte diese Technologie in Anwendungen wie Elektroautos vorstoßen, die bislang IGBTs…

EPFL / Power Electronics

GaN Nanotransistors Withstand High Voltages

Based on two innovations, a team at EPFL has developed nanotransistors made of gallium…

Neues Leistungsmodul, neue Firmware

Yokogawa erweitert Leistungsanalysator-Flaggschiff

Der Leistungsanalysator WT5000 von Yokogawa hat ein neues Leistungsmodul mit…

EPFL / Leistungselektronik

GaN-Nanotransistoren halten hohen Spannungen stand

Mithilfe zweier Innovationen hat ein Team der EPFL Nanotransistoren aus Galliumnitrid für…

Kontroverse um die EU-2-nm-Foundry

Eine Superidee – aber auch realistisch?

Über Jahrzehnte ist der Anteil der europäischen Halbleiter-Fertigung stetig geschrumpft;…

Liefersicherheit bei Siliziumkarbid

Infineon schließt Liefervertrag mit Showa Denko

Im Rahmen ihrer Multisourcing-Strategie bei Siliziumkarbid hat Infineon einen…

Halbleitermangel

Stellantis konnte fast 200.000 Autos nicht bauen

Der weltweite Mangel an Elektronikbauteilen macht dem Opel-Mutterkonzern Stellantis schwer…

Produkte des Jahres 2021

Die Sieger der Kategorie »Power«

8 Top-Produkte aus der Stromversorgung schickte die Elektronik-Redaktion in der Kategorie…

PCIM Europe digital days

Leistungselektronik in seiner ganzen Breite erleben

Vom 3. bis 7. Mai können sich Teilnehmer der PCIM Europe über die neuesten Trends der…

Für schnell schaltende Anwendungen

MOSFET-Modul optimiert die Leistung von Solaranlagen

Infineon hat den EasyPack-2B-Modulen der 1200-V-Familie ein neues Bauteil hinzugefügt.…