Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Ausbau der Produktionskapazität

Fette Milliarden-Investitionen in SiC-Wafer- und Chips

In einer Studie kam die Boston Consulting Group zu dem Schluss, dass noch Investitionen bis zu 30 Milliarden US-Dollar notwendig seien, um die SiC-Versorgung über 2030 hinaus zu sichern. Richard Eden, Senior Principal Analyst für Power-Semiconductors…

Bildgebung in der Neurochirurgie

Sichere Tumorresektion per Ultraschallnavigation

Hirnchirurgen brauchen aktuelle Anantomieaufnahmen. Bisher gab es OP-Bilder meist via MRT…

Versorgungslage bei Leistungshalbleitern

»Alles läuft in die richtige Richtung«

Zwar fallen IGBTs und MOSFETs immer noch mit hohen Lieferzeiten auf, die flächendeckende…

GaN könnte bald allgegenwärtig werden

»Ob SiC oder GaN, das entscheidet die Spannungsebene«

Doug Bailey, Vice President für Marketing bei Power Integrations, erläutert seine Sicht…

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Zwei Tage rund um Silizium, SiC und GaN

Sie wollen sich über den bestmöglichen und effizientesten Einsatz von Silizium-, SiC- und…

Nexperia will Umsatz vervierfachen

Produktion von SiC und GaN in Hamburg

Welche Ziele verfolgt Nexperia im Bereich Leistungshalbleitertechnik, und welche Rolle…

VDE/GMM Mikrosystemtechnik-Kongress 2023

Technische Souveränität und Green IT im Fokus

Der Mikrosystemtechnik-Kongress ist die größte Veranstaltung der GMM im Jahr. In Dresden…

Georg-Waeber-Innovationspreis

Charakterisierung von SiC-Wafern mit Röntgentopographie

Ein Forschungsteam von Rigaku und vom Fraunhofer IISB hat gemeinsam eine einzigartige,…

Advertorial

Bis zu 40% effizienter - TOSHIBA SIC-MOSFETs im 4-Pin Gehäuse

TOSHIBA hat seine SiC-MOSFETs der 3. Generation um Derivate im 4-Pin-Gehäuse erweitert. …

STMicroelectronics

Hochstrom-Motortreiber

STMicroelectronics hat unter der Bezeichnung STSPIN9 eine Hochstrom-Motortreiberserie…