Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Versorgungslage bei Leistungshalbleitern

»Alles läuft in die richtige Richtung«

Zwar fallen IGBTs und MOSFETs immer noch mit hohen Lieferzeiten auf, die flächendeckende Allokation des Vorjahres ist jedoch fast verschwunden. Die Kunden investieren wieder in Entwicklung und Innovation. Eine Ausnahmesituation stellt weiterhin der…

GaN könnte bald allgegenwärtig werden

»Ob SiC oder GaN, das entscheidet die Spannungsebene«

Doug Bailey, Vice President für Marketing bei Power Integrations, erläutert seine Sicht…

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Zwei Tage rund um Silizium, SiC und GaN

Sie wollen sich über den bestmöglichen und effizientesten Einsatz von Silizium-, SiC- und…

Nexperia will Umsatz vervierfachen

Produktion von SiC und GaN in Hamburg

Welche Ziele verfolgt Nexperia im Bereich Leistungshalbleitertechnik, und welche Rolle…

VDE/GMM Mikrosystemtechnik-Kongress 2023

Technische Souveränität und Green IT im Fokus

Der Mikrosystemtechnik-Kongress ist die größte Veranstaltung der GMM im Jahr. In Dresden…

Georg-Waeber-Innovationspreis

Charakterisierung von SiC-Wafern mit Röntgentopographie

Ein Forschungsteam von Rigaku und vom Fraunhofer IISB hat gemeinsam eine einzigartige,…

Advertorial

Bis zu 40% effizienter - TOSHIBA SIC-MOSFETs im 4-Pin Gehäuse

TOSHIBA hat seine SiC-MOSFETs der 3. Generation um Derivate im 4-Pin-Gehäuse erweitert. …

STMicroelectronics

Hochstrom-Motortreiber

STMicroelectronics hat unter der Bezeichnung STSPIN9 eine Hochstrom-Motortreiberserie…

Power Integrations

PowiGaN-Technologie für Solarrennwagen

Power Integrations, Anbieter von integrierten Hochspannungsschaltungen für…

High-Tech-Sektor in Israel

»Israel ist bemerkenswert widerstandsfähig«

Welche Auswirkungen ein Krieg auf Lieferketten hat, zeigte 2022 der Überfall Russlands auf…