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Preisvergleich von 650V-InnoGaN-HEMTs von Innoscience mit Si-Superjunction-Bauelementen bei ähnlichen Spannungen und Strömen, der auf den Websites der Distributoren veröffentlicht wurden

GaN-Leistungselektronik von Innoscience

Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis

Zu teuer, zu unzuverlässig – mit diesen beiden Vorurteilen zum Einsatz von...

Markt&Technik
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Bourns neue IGBT-Generation

Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen

Mit der steigenden Konzentration auf die Betriebseffizienz von Elektromotoren für alle...

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Texas Instruments

Opto-Emulatoren für Hochvolt-Anwendungen

Wie Optokoppler, nur deutlich besser

Texas Instruments (TI) hat mit den sogenannten Opto-Emulatoren eine neue Art von...

Markt&Technik
Power-Talk Teil 2

Power-Talk Teil 2

Standarisierung bremst Innovation

Anders als Marktforscher, glauben die Leistungshalbleiter-Hersteller nicht an die...

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STMicroelectronics

STMicroelectronics

MasterGaN-Familie mit 200 und 500 W

Mit den Produkten MasterGaN1L und MasterGaN4L präsentiert STMicroelectronics die...

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Infineon Technologies

Infineon Technologies

Integrierter Temperatursensor

Infineon Technologies bringt die neue, mit einem integrierten Temperatursensor...

Markt&Technik
Power Talk 3

Power-Talk Teil 3

Geopolitische Herausforderungen

Aus Sicht der Leistungshalbleiter-Branche wäre es sinnvoller, in Europa Fabs mit...

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Infineon Technologies

Infineon sieht SiC-Zukunft bei Trench

»Das Gesamtpaket muss den Einsatzanforderungen entsprechen«

Neben heutigen Applikationen in den Bereichen Automotive und Industrie wird SiC nach...

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Power-Talk Teil 1

Power-Talk Teil 1

Wachstumstreiber SiC und GaN

Auch wenn Thomas Grasshoff, Semikron-Danfoss, Alfred Hesener, Navitas und Ole...

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