Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Innoscience/Universität Bern

Mehrstufiger Leistungswandler für 850 VDC mit 650-V-GaN

Innoscience Technology hat zusammen mit der Berner Fachhochschule (BFH) eine Referenzdemo für einen mehrstufigen Leistungswandler für 850VDC-Anwendungen vorgestellt.

Leistungshalbleiter

So entsteht ein SiC-Wafer

Im Moment explodieren die Bedarfe bei Siliziumkarbid – getrieben besonders von der…

Erfolg von SiC sichern

Technische Herausforderungen und Lieferketten

Der Bereich der Elektroautos und erneuerbaren Energien stellt sehr hohe Anforderungen an…

Leistungshalbleiter

Energieeffizienter schweißen

In den vergangenen Jahren sind auch die Effizienzvorschriften für Schweißgeräte stetig…

ROHM

Serienfertigung von 650-V-GaN-HEMTs angelaufen

ROHM hat mit der Serienfertigung der 650V GaN (Galliumnitrid) HEMTs »GNP1070TC-Z« und…

Galliumnitrid-Transistoren für 1200 V

Auslaufmodell Siliziumkarbid?

Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des…

Infineon Technologies

Quarter better than expected and raised outlook

Infineon Technologies concludes a significantly better-than-expected quarter and again…

Neue Potenziale für Elektrofahrzeuge

Entwicklung von Onboard-Ladegeräten für künftige Elektrofahrzeuge

Erhöhte Reichweiten sind entscheidend für den Markterfolg von Elektrofahrzeugen. Parallel…

Spatenstich für neues Infineon-Werk

Produzieren, produzieren, produzieren!

Für 5 Milliarden Euro baut Infineon Technologies am Standort Dresden eine Smart Fab, die…

ZF und Wolfspeed

Neues Forschungszentrum im Großraum Nürnberg

Die Politik will Europas Abhängigkeit von Ostasien und den USA in der Chipindustrie…