Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Für die Chip-Technologie von morgen

Elektronische Transistorstrukturen unter 2 nm realisiert

Die Miniaturisierung elektronischer Bauelemente geht weiter, allerdings nicht mehr mit herkömmlichen Produktionsverfahren. Nun konnten winzige Transistorstrukturen hergestellt werden, mit denen die Realisierbarkeit von Quantencomputern vielleicht ein…

Hoher Drain-Dauerstrom

30-V-n-Kanal-TrenchFET für Mobilgeräte

Vishay hat einen 30-V-n-Kanal-TrenchFET der vierten Generation präsentiert, der die…

Mikroelektronik und Mikrosysteme

Entscheidend für Industrie 4.0, Robotik und Mobilität

Bereits zum siebten Mal stellt der Mikrosystemtechnik-Kongress in diesem Jahr heraus, wie…

Superjunction-MOSFETs

Neuer Anbieter im 650-V-Markt

Ein neuer Teilnehmer auf dem Leistungshalbleiter-Markt ist D3 Semiconductor. Das Ende 2011…

Siliziumkarbid-Kristallzüchtung

So entsteht ein SiC-Wafer

Siliziumkarbid ist Halbleitermaterial mit großer Zukunft. Allerdings ist die Herstellung…

Für 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung

100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

Seine U-MOS-VIII-H-Serie hat Toshiba um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs…

In neuem Gehäuse

Infineon StrongIRFET MOSFET für batteriegetriebene Anwendungen

Infineon erweitert seine StrongIRFET-Familie mit dem D²PAK 7pin+, einem 40-V-Baustein in…

Smart Building Summit am 16. und 17. Mai

Melden Sie sich jetzt an!

Das Programm für den Smart Building Summit steht fest. Am 16. und 17. Mai können sich die…

Elektronik-Leserwahl

Produkte des Jahres 2017 – Aktive Bauelemente

Die Leser der Elektronik haben gewählt: Das sind die »Produkte des Jahres 2017« der…

Camtec

»Wir sind in der Lage, die Zukunft abzubilden«

Als Spezialist für Hochleistungs-Netzteile ist Camtec bereits heute mit Geräten am Markt,…