Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial

Licht aus dem Schatten des Siliziums

Das Potenzial von Galliumnitrid für Anwendungen in der Leistungs- und Hochfrequenzelektronik ist groß. Ein Silizium-kompatibler Herstellungsprozess erlaubt es, mit der GaN-Technologie deutliche Leistungssteigerungen zu erreichen, ohne die…

Leistungsreserven und Gleichspannung

Stromnetz der Energiewende

Um die Energiewende bewältigen zu können, muss der Netzausbau schleunigst voranschreiten.…

MOSFETs im TO-220 FullPAK Wide Creepage

Isolationskriterien erfüllen

Wie lassen sich Isolationsvorschriften für MOSFETs ohne zusätzliche Arbeitsschritte und…

1700-V-SiC-MOSFETs machen es möglich

Hilfsstromversorgungen - kompakt und kostengünstig

In Hilfsstromversorgungen für dreiphasig gespeiste industrielle Sys­teme lassen sich durch…

PCIM Europe 2017

Die PCIM endet mit einem Rekordergebnis

Die PCIM Europe 2017 in Nürnberg war drei Tage lang der Treffpunkt der…

Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Mit ihrer innovativen Zellenstruktur erzielen die 650-V-IGBTs von Rohms dritter Generation…

Höhere Leistung und kompaktere Umrichter

Acht neue HV-IGBT-Module

Mitsubishi hat acht weitere HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV; 4,5…

Exklusiv-Interview

»Eine IoT-Fabrik sorgt für Null-Fehler-Chips«

Die Philosophie des japanischen Chipherstellers Rohm ist simpel: Qualität und nochmals…

Neue Gehäusetechnologie

Trenchstop Advanced Isolation für diskrete IGBTs

Die neue Gehäusetechnologie Trenchstop Advanced Isolation hat Infineon für seine…

Für effiziente ZVS-LLC-Resonanzwandler

MDmesh-MOSFETs mit Fast-Recovery-Diode

Die neu vorgestellten MDmesh-DK5-Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind…