Produkt

Treiber-Kerne statt diskrete Lösungen

Steuerung von IGBTs

Sind IGBTs als Kreuzung aus MOSFET und Bipolartransistor genügsame, gutmütige und einfach steuerbare Leistungsbauelemente? Ja, durchaus – doch bieten fertige, hochintegrierte Treiber-Module erhebliche Vorteile gegenüber selbstentwickelten…

Leistungshalbleiter

GaN ist endlich da

Wegen des stetig zunehmenden Einsatzes elektronischer Systeme und dem entsprechend…

Leistungselektronik Mekka

PCIM 2010: Gute Aussichten für Messe und Kongress

Knapp drei Monate vor Beginn der PCIM Europe 2010, der internationalen Messe und Konferenz…

International Rectifier

GaN-Leistungsbausteine endlich verfügbar

Nun hat International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine…

Thyristor mit integrierter Freilaufdiode

Mit dem CRD5CM hat Renesas einen Thyristor zum Einsatz in Spannungsreglern für Zweiräder…

Leistungs-MOSFETs mit niedrigem On-Widerstand

NEC Electronics Europe hat unter der Produktbezeichnung NP180N04TUJ bzw. NP180N055TUJ neue…

Entwicklungspraxis

Die Auswahl eines Gate-Treiber-ICs für MOSFETs

Bei Anwendungen mit hoher Leistung steuern üblicherweise Treiber-ICs die MOSFET-Brücken.…

Besser durch Siliziumkarbid

Wirkungsgrad einer PFC-Stufe verbessern

Seit Jahren ist eine aktive PFC-Stufe in vielen Netzteilen eingebaut. Leider verursacht…

Weltpremiere: IR stellt GaN-Technologie-Plattform vor

Smaller, Lighter, Cooler – mit der Ankündigung von GaN-Lösungen schlägt International…

IGBTs

Die vierte IGBT-Generation

Die weltweite Nachfrage nach elektrischer Energie wächst Jahr für Jahr. Steigende…