In neuem Gehäuse
Infineon StrongIRFET MOSFET für batteriegetriebene Anwendungen
Infineon erweitert seine StrongIRFET-Familie mit dem D²PAK 7pin+, einem 40-V-Baustein in neuem Gehäuse. Der robuste MOSFET verfügt über eine niedrige R DS(on) von 0,65 mΩ und die branchenweit höchste Stromtragfähigkeit.
Damit ist er besonders für Anwendungen mit großer Leistungsdichte gedacht, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässig erfordern. Das neue Gehäuse ist oberflächenmontierbar und für Niederspannungsantriebe, batteriebetriebene Werkzeuge und elektrische Kleinfahrzeuge geeignet.
D²PAK 7pin+ erweitert den Variantenreichtum an Gehäusen für die StrongIRFET-Familie. Die verschiedenen Optionen für die Pinbelegung schaffen zudem eine Flexibilität im Design. Im Vergleich zum D²PAK 7pin-Standardgehäuse liegt der R DS(on) der neuen Familie um bis zu 15 Prozent niedriger. Der thermische Widerstand von der Sperrschicht zur Leiterplatte ist um bis zu 39 Prozent geringer.
Wie das neue Gehäuse Platz für einen 20 Prozent größeren Chip bei identischer Pinbelegung und Grundfläche im Vergleich zum Standard-Gehäuse bietet, lassen sich traditionelle D²PAK 7pin- und H²PAK-Gehäuse gut ersetzen. Weitere Informationen zum sofort erhältlichen Baustein sind online verfügbar.
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