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Leistungshalbleiter-ICs

Die richtige Schottky-Diode finden

Boost Converter für tragbare Elektronikgeräte auslegen

In tragbaren Elektronikgeräten mit Display wird ein Aufwärtswandler zur Spannungsversorgung der LED-Hinterleuchtung benötigt. Sein Wirkungsgrad hat spürbaren Einfluss auf die Batterielaufzeit des Geräts. Das sollte bei der Auswahl der passenden…

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Texas Instruments

Leistungsdichte von Antrieben verdoppeln

Mit einer neuen Gate-Treiber-Architektur erlaubt es TI, die Leistungsdichte in Antrieben…

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STMicroelectronics

Leistungs-MOSFETs in 5 x 6 mm großen Dual-Side Cooling-Gehäuse

STMicroelectronics hat neue AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs im PowerFLAT 5x6 DSC-Gehäuse…

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Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial

Licht aus dem Schatten des Siliziums

Das Potenzial von Galliumnitrid für Anwendungen in der Leistungs- und…

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© Componeers GmbH

Leistungsreserven und Gleichspannung

Stromnetz der Energiewende

Um die Energiewende bewältigen zu können, muss der Netzausbau schleunigst voranschreiten.…

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MOSFETs im TO-220 FullPAK Wide Creepage

Isolationskriterien erfüllen

Wie lassen sich Isolationsvorschriften für MOSFETs ohne zusätzliche Arbeitsschritte und…

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© Rohm Semiconductor

1700-V-SiC-MOSFETs machen es möglich

Hilfsstromversorgungen - kompakt und kostengünstig

In Hilfsstromversorgungen für dreiphasig gespeiste industrielle Sys­teme lassen sich durch…

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© Mesago

PCIM Europe 2017

Die PCIM endet mit einem Rekordergebnis

Die PCIM Europe 2017 in Nürnberg war drei Tage lang der Treffpunkt der…

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© Rohm

Neue Zellenstruktur für hohe Effizienz

Rohm stellt dritte IGBT-Generation vor

Mit ihrer innovativen Zellenstruktur erzielen die 650-V-IGBTs von Rohms dritter Generation…

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© Mitsubishi Electric

Höhere Leistung und kompaktere Umrichter

Acht neue HV-IGBT-Module

Mitsubishi hat acht weitere HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV; 4,5…

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