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Leistungshalbleiter-ICs

Elektronik-Zeitreise

Vierquadranten-Multiplizierbaustein

Gleich auf den ersten Blick erkennt man, wie riesig im Jahr 1969 ein Baustein war, der »nur« multiplizieren und quadrieren konnte. Nicht einmal ein halbes Jahrhundert später leisten Chips mit Abmessungen von nur wenigen Nanometern ein Vielfaches….

Der Nachfolger der FinFET-Technologie

Nanosheet-Transistoren für 5-nm-Chips

Noch kleinere und noch leistungsfähigere Chips als heute? Mit der Nanosheet-Technologie…

Toshiba / ISPDP 2017

Zielkonflikt zwischen ESD und Durchbruchspannung überwunden

Toshiba hat eine vollständig isolierte n-Kanal-LDMOS-Technologie entwickelt, die den…

Macom mit RF Energy Toolkit

GaN-on-Si-HF-Energiequellen schnell entwickeln

Um schnell Solid-State-RF-Energy-Systeme in Geräte wie Mikrowellenöfen eindesignen zu…

Nachlese APEC 2017

SiC startet in den Massenmarkt

Bei neuen Technologien braucht es einen langen Atem. SiC-MOSFETs sind zwar seit 2012…

Elektronik-Zeitreise

Schnelle Si-Dioden nach dem Ionen-Einpflanzungsverfahren

Einen erheblichen Fortschritt gegenüber diffundierten Silizium-Dioden stellten Dioden dar,…

Robustes IGBT-Modul von Mitsubishi

Feldausfälle minimieren

IGBT-Module in hochzuverlässigen Anwendungen müssen für bis zu 30 Jahre eine definierte…

Elektronik-Zeitreise

Die Frau in der Elektronik

Der Frauenanteil in technischen Berufen und Führungspositionen lässt heute immer noch zu…

Forschungsprojekt »eRamp«

Die Leistungselektronik in Deutschland und Europa stärken

Damit die Leistungselektronik im europäischen Raum auch zukünftig wettbewerbsfähig bleibt,…

IMS statt PCB

Optimale Entwärmung von GaN-Bauelementen auf Systemebene

Gerade bei hohen Strömen und Leistungen muss besonderes Augenmerk auf die thermische…