Produkt

BMW i Ventures

Strategische Investment in GaN Systems

BMW i Ventures investiert in Gallium-Nitrid-Leistungstransistoren und führt die neue Finanzierungsrunde des Start-ups GaN Systems.

Ladungspumpe für 100 % Tastverhältnis

60-V-High-Side-n-Kanal-MOSFET-Treiber

Der LTC7003 von Linear Technology ist ein High-Side-n-Kanal-MOSFET-Treiber für…

Forschung mit Kupferiodid

Energie durch Körperwärme

Unsichtbare Energieerzeugung soll dank Kupferiodid bald möglich sein. Physiker der…

Zwei neue Führungskräfte

Semikron verstärkt Geschäftsführung

Für führende Management-Positionen hat Semikron zwei international erfahrene…

Energie und Kosten sparen

Innovative Transistoren aus Metall-Nanopartikeln

Wissenschaftlern der Universität Hamburg ist es gelungen, Transistoren aus…

Elektronik-Zeitreise

Transistorisierter Zähler

Was bitte ist ein transistorierter Zähler? Ich höre das Wort heute auch zum ersten Mal.…

Im Portfolio von Richardson RFPD

Aktuelle 1000-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed

Bei Richardson RFPD sind die beiden 1000-V-SiC-Leistungs-MOSFETs C3M0065100J und…

Galvanisch isolierte Gate-Treiber

MOSFETs schnell und sicher ansteuern

Isolierte Wandler sind in Servern, industriellen Anwendungen sowie Telekom- und…

Für 400- und 690-V-Anwendungen

Scale-iDriver-IC treibt 1700-V-IGBTs

Seine Scale-iDriver-Familie hat Power Integrations um galvanisch getrennte…

Aktuelle Geschäftszahlen

Auftragseingang in der Elektroindustrie wächst zweistellig

Der Mai lief für die deutsche Elektroindustrie sehr gut, und zwar sowohl bezüglich…