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Jetzt im F5-Gehäuse

SiC-Schottky-Dioden von USCi

7. Juli 2017, 10:27 Uhr | Irina Hübner

Die SiC-Schottky-Dioden sind in verschiedenartigen Gehäusetypen erhältlich, nun auch im F5-Gehäuse.

United Silicon Carbide Inc. (USCi) bietet die SiC-Schottky-Dioden der Serien UJD065x und UJ2D12xx mit Sperrspannungen von 650 und 1200 V jetzt in F5-Gehäusen an. Die neuen Gehäuse bringen diverse Vorteile mit sich.

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Die F5-Gehäuse mit 2 mm Bauhöhe sind gegenüber pinkompatiblen D2Pak-2L-Varianten (TO-263-Gehäuse) kleiner. Dadurch wird die Kriechstromstrecke von 1,8 mm auf 3 mm erweitert. Außerdem zeichnen sich die Gehäuse durch ein gutes Wärme-Management sowie eine hohe Unempfindlichkeit gegenüber parasitäten Einstreuungen aus.

Nach wie vor werden die SiC-Schottky-Dioden auch in TO-220-, TO-220-2L/3L- und TO-247-Gehäusen angeboten. Varianten mit Nennströmen von 4 bis 30 A gehören zu den Baureihen. Die maximal zulässige Sperrschicht-Temperatur liegt bei 175 °C.

Durch den integrierten Surge-Bypass werden die geringe Sperrverzögerungsladung von Siliziumkarbid mit dem hohen Stoßdurchlasstrom von Silizium kombiniert. Damit sind die Dioden zum Schutz vor Stoßspannungen in AC/DC-Aufwärtswandlern oder Leistungsfakro-Korrekturschaltungen verwendbar.

Die SiC-Schottky-Dioden von USCi sind über Ecomal Europe beziehbar.