Samsung Electronics

Spatenstich für neues Halbleiter-F&E-Zentrum in Korea gesetzt

19. August 2022, 9:26 Uhr | Iris Stroh
Neues F&E-Zentrum
An der Grundsteinlegung nahmen Jay Y. Lee, stellvertretender Vorsitzender von Samsung Electronics, Kye Hyun Kyung, Präsident und CEO, Jung-Bae Lee, Präsident des Speichergeschäfts, Siyoung Choi, Präsident des Foundry-Geschäfts und Yong-In Park, Präsident des S.LSI-Geschäfts, teil.
© Samsung Electronics

Samsung Electronics hat gestern den ersten Spatenstich für sein neues Forschungs- und Entwicklungszentrum gesetzt. Damit will das Unternehmen seine Führungsposition in der modernen Halbleitertechnologie ausbauen.

Bis 2028 sollen 20 Mrd. KRW (KRW: südkoreanischer Won, 15 Mrd. Euro) in den Bau der Forschungseinrichtung investiert werden, die auf dem Giheung-Campus errichtet werden soll. Samsung Electronics will das neue F&E-Zentrum dazu nutzen, um an Bauelementen und Prozessen für die nächste Generation von Speicher- und Systemhalbleitern zu forschen. Darüber hinaus sollen dort aber auch neue Technologien für die langfristige Roadmap entwickelt werden.


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